Практическая часть. 1. Лабораторный стенд 87Л-01, коммутационная плата №1, сменные панели №5 и № 6

Оборудование.

1. Лабораторный стенд 87Л-01, коммутационная плата №1, сменные панели №5 и № 6. В работе использовать генератор тока ГТ, генераторы напряжения ГН1 и ГН2, измерители АВМ1, АВМ2 и АВО, съёмный элемент - транзистор со структурой p-n-p.

Задание. Ознакомьтесь с основными параметрами и характеристиками транзисторов, а также схемами включения. Экспериментально определите входные и выходные вольтамперные характеристики транзистора p-n-p типа.

Порядок выполнения работы.

1. Соберите схему измерения входных параметров транзисторов при включении их по схеме с общим эмиттером (рис. 4), используя сменную панель №6 и коммутирующую плату №1. При этом присоедините соединительными проводами генератор тока с гнёздами Х3 и Х4 сменной панели. Гнёзда сменной панели Х1 и Х2 с измерителем тока АВМ1, а гнёзда измерительной панели Х5 и Х6 с измерителем напряжения АВМ2. Генератор напряжения ГН2 присоедините к гнездам сменной панели Х11 и Х12.

Рис. 4

2. Включите питание стенда.

3. Изменяя входной ток от генератора тока в пределах (0.1 – 2) мА, измерьте изменение входного напряжения (Ube). Входные вольтамперные характеристики (ВАХ) снимаются при двух напряжениях коллектора относительно эмиттера (Uce) – 0 В и – 5 В.

4. Выключите питание стенда.

5. Результаты измерений занесите в таблицы №1 и№2 и постройте графики этих зависимостей.

Таблица №1 – Uce=0 В.

Ube                          
Ib                          

Таблица №2 – Uce=-5 В.

Ube                          
Ib                          

6. Соберите схему измерения выходных параметров транзисторов при включении их по схеме с общим эмиттером, используя сменную панель №6 и коммутирующую плату №1. При этом присоедините соединительными проводами генератор тока с гнёздами Х3 и Х4 сменной панели. Гнёзда сменной панели Х1 и Х2 с измерителем тока АВМ1, а гнёзда измерительной панели Х7 и Х8 с измерителем тока АВМ2. Генератор напряжения ГН2 присоедините к гнездам сменной панели Х11 и Х12. При этом также используйте схему представленную на рис. 2

7. Включите питание стенда.

8. Проведите серию измерений тока коллектора в зависимости от напряжения коллектор – эмиттер при различных токах базы. При этом каждая серия измерений отличается по току базы друг от друга на 0.5 мА.

9. Результаты измерений занесите в таблицы, вида таблицы №3, с фиксацией для каждой таблицы своего тока базы.

                         
Uсe                          

10. Постройте график семейства выходных характеристик транзистора. В семействе должно быть не менее 5-ти зависимостей (при не менее, чем 5–ти фиксированных значениях тока базы).

11. Проведите серию измерений изменений тока коллектора в зависимости от изменения тока базы (при изменении тока базы примерно на 0.1 мА) при изменении тока базы в диапазоне (0.1-2.5) мА, при фиксированном напряжении коллектор – эмиттер равном – 5 В.

12. Результаты измерений занесите в таблицу №4.

Таблица №4

                         
Ib                          
DIb                          
DIc                          

13. Рассчитайте статический коэффициент передачи тока при различных значениях тока коллектора (при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер равного -5 В) и постройте график функциональной зависимости .

14. В конце работы сформулируйте и занесите в отчёт выводы по данной лабораторной работе.

Литература Мисюль П.И., Цыган Н.М. Лабораторный практикум по радиоэлектронике стр. 19-21

Контрольные вопросы

  1. Схемы включения транзистора и их краткая характеристика.
  2. Что такое входные характеристики транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером?
  3. Что такое выходные характеристики транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером?
  4. Основные параметры транзистора.
  5. Маркировка и условные графические обозначения транзисторов.
  6. Как рассчитать h-параметры транзистора по его характеристикам?

Приложение

Параметры транзисторов малой мощности даны в таблице.

 

    Тип транзистора
№ пп Параметр транзистора КТ361 КТ208
Тип структуры p-n-p p-n-p
Материал структуры Кремний Кремний
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 20-90/ (КТ361А) 50-350/ (КТ361Б) при UCB=10 В, IC=1 мА 20-60/ (КТ208А) 20-240/ (КТ208К) при UCB=1 В, IC=30 мА
Максимально допустимое постоянное (обратное) напряжение база-эмиттер 4 В 20 В/ (КТ208А, Б,В) 10 В/ (КТ208Д,Е)
  Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база 20 В 20В/(КТ208А,Б, В) 30В/ КТ208Г,Д,Е 45В/ КТ208Ж,И,К 60В/ КТ208Л,М
  Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RBE<10 кОм. 15 В 20В/(КТ208А,Б, В) 30В/ КТ208Г,Д,Е 45В/ КТ208Ж,И,К 60В/ КТ208Л,М
Максимально допустимый постоянный ток коллектора 50 мА 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при t<350C 150 мВт 200 мВт

 

 








Дата добавления: 2015-01-10; просмотров: 942;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.007 сек.