Эквивалентная схема, параметры и характеристики полевых транзисторов

 

Эквивалентная схема полевого транзистора приведена на рисунке 36. Здесь Rзси Rзи - эквивалент распределенных сопротивлений затвора относительно областей истока и стока. Rи и Rс - сопротивления участков от контакта истока и стока до канала. Усилительные свойства представлены генератором Iг= sт Uзи и внутренним дифференциальным сопротивлением канала Ri = DUси / DIс при Uзи = const.

Рис.36 Схема замещения полевого транзистора
Статические входные и выходные характеристики полевого транзистора с управляемым переходом показаны на рисунке (33,б; 33в). Участок аб соответствует открытому состоянию канала при Uз = 0. При большом токе Iс из-за падения напряжения на канале сечение канала вблизи стока уменьшается, отчего

рост тока снижается. Участок ВГ - насыщение. Подача запирающего напряжения приводит к уменьшению сечения канала и более раннему насыщению. Рабочая зона располагается справа от штриховой линии.

На рис. 34,б; 34,в приведены входная и выходные характеристики МДП транзистора со встроенным каналом n -типа. В зависимости от величины и полярности напряжения на затворе характеристики смещаются в сторону меньших или больших токов. На рис.35,б; 35,в приведены характеристики МДП транзистора с индуцированным каналом. В зависимости от типа проводимости полупроводника управление осуществляется положительным

(n - канал) или отрицательным (p- канал) напряжением. На рисунках приведены характеристики для канала n -типа.

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

1.Максимальное значение тока стока Iст - значение в точке, близкой к пробою

при Uзи = 0 (достигает 50 мА).

1.Максимальное напряжение цепи сток-исток Uси макс. = (0,65 - 0,8)Uпробоя

при Uзи = 0. (до 50 В).

2.Напряжение отсечки Uзио - напряжение на затворе при Iс = 0. (до 0,8 - 10 В).

3.Внутреннее сопротивление Ri = dUси / dIс при Uзи =const. (до 0,02 - 0,5 Мом).

4.Крутизна стоковой характеристикиs = dIс / dUзи при Uси= const. (до 0,3 - 0,7 мА/В) определяет влияние напряжения на затворе на выходной ток транзистора.

5.Входное сопротивление rвх = dUзи / dIз при Uси = const. (до 108 - 109 Ом у транзистора с управляемым переходом, до 1012 - 1014 Ом для МДП транзисторов) определяется сопротивлением обратно смещенных переходов.

6.Межэлектродные емкости Сси и Сзи определяют максимальную частоту.

fмакс = 1 / 2pRканала Cзи . (до 6 - 20 пФ)

7.Остаточный ток в стоковой цепи Iс ост при Uзи > Uзио

8.Предельные параметры:

Uс макс. - допустимое напряжение цепи сток-исток;

Uзи макс. - допустимое напряжение цепи затвор-исток;

Pмакс. - допустимая мощность рассеяния.

 








Дата добавления: 2015-03-23; просмотров: 703;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.007 сек.