Особые значения показателя преломления и средней дисперсии.

Диэлектрические кристаллы имеют сравнительно малые значения показателя преломления min n_e=1.38 (LiF), max n_e=1.76(Al₂O₃)

Показатель преломления определяет коэффициент отражения:

r=((n-1)/(n+1))²

Чем больше показатель преломления, тем больше отражение.

Рисунок 24. Зависимость r от n.

Отражательная способность этих кристаллов невелика, не для всех материалов требуются просветляющие покрытия. Весьма важно, что значение оптических свойств кристаллов диэлектриков мало зависят от температуры.

Полупроводниковые кристаллы отличаются от диэлектриков большим значением показателя преломления

Ge n_e=4.12

Si n_e=3.46

В соответствии с формулой r=((n-1)/(n+1))² с увеличением n_e, увеличивается коэффициент отражения световых лучей.

Поэтому 30-50% теряется на отражение.

Главное, что оптические свойства полупроводниковых кристаллов зависит от температуры.

Оптические кристаллы допускают определенные сочетания показателя преломления и средней дисперсии с хорошим (высоким) пропусканием в УФ и ИК-диапазоне. То есть в УФ и ИК-диапазонах кристаллы незаменимы.