Бір өткелді транзистор

Бір өткелді транзистор –бір р-n өткелі және үш шықпасы бар шала өткізгішті аспап. Сонымен қатар екі базалы диод деп те аталады, өйткені оның бір р-n өткелі және екі базалық шықпасы бар, бірақ бұл атауы дәл ұғым бермейді. Бұл транзистор р-типті эмиттерлік облысы бар n-типті кристалл (база) болып табылады (7.7-сурет). Бір өткелді транзистор құрылымы жағынан басқарушы p-n өткелі бар өрістік транзисторға ұқсайды, бірақ жұмыс істеу принципі өзгеше. Мұндағы база көлденең қима ауданының өзгеруіне қарай өзінің кедергісін өзгертетін арна болып табылмайды.

n-базаны ойша жоғарғы және төменгі бөліктерге бөлейік. База бөлігі Б1 – р-n өткел – эмиттер Э диодтың қызметін атқарады. Б2 база бөлігі – кернеу бөлгіштегі U_б ығысу иығы (7.8-сурет).

Транзистордың вольтамперлік сипатта­масы I_Э = f(Uэ)| _=const 7.8-суретте келтірілген.

U_Б > 0 және Uэ = 0 болғанда Б1 және Б2 арқылы аздаған ығысу тогы ағып, Б1 база бөлігінде, эмиттерлік өткел үшін кері болып табылатын, U_Б1 кернеудің түсуін туындатады. Өткел арқылы I_Э0 кері тогы ағады. Сипаттаманың 0А бөлігінде кернеу U_Б> 0, 0 ≤ U_Э ≤ U_Б1, өткел (ЭБ1) кері бағытта ығысып I_Э0 тогы ағады, U_Э өскенде I_Э0 тогы азаяды.

А нүктесінде U_Э0 = U_Б1 болған кезде ток I_Э0 = 0.

АВ (U_Э > U_Э0) бөлігінде р-n өткел тура бағытта ығысады және U_Э-ның артуымен өсетін I_Э тура тогы ағады. В нүктесінде I_Э тура тогы аққанда Б1 базасында тасушылар жинақталады, R_Б1 кедергісі және U_Б1 кернеуі азаяды, ал U_Б1 азаюы U_Э-дің Б1-ге қарағанда артуына парапар.

U_Э = U_қос болғанда бұл процесс құйын тәріздес болып өтеді: мысалы, I_Э артсын делік, онда R_Б1 азаяды, U_Б1 кемиді, Uэ өседі, потенциалдық тосқауыл φ_к төмендейді, инжекция және I_э тогы өседі және т.с.с.

ВС бөлігінде I_Э күрт өседі, U_Э кемиді, бұл теріс кедергі бөлігі.

С нүктесінде, Б1 қабаты заряд­тармен қаныққан кезде, оның кедергісі азаюын тоқтатады.

СД бөлігінде Iэ тогы Uэ-нің өсуіне байланысты өседі .

ВАС I_Э артқанда оңға, U_Б кемігенде солға қарай өзіне-өзі параллель ығысады, ал U_Б=0 болса, диодтың сипаттамасына сәйкес келеді.

7.9-суретте транзистордың қосы­лу сұлбасы келтірілген.

Бір өткелді транзисторлар кілттік элемент ретінде генераторларда, ауыстырып қосқыштарда, күшейткіш құрылғыларда пайдаланылады.

Аспаптың артықшылықтары – қарапайымдылығы мен U_Эқос шамасының тұрақтылығы болып табылады.

Кемшіліктері – жылдамдығы төмен (100…300 кГц ), таралатын қуат және қалдық кернеу көп, сигнал деңгейі бойынша басқа дискретті элементтермен сәйкес келмейді.