Входное сопротивление последовательного АД на диоде в режиме сильного сигнала

Для оценки входного сопротивления АД необходимо выделить из тока, протекающего через диод, составляющую I_ω0 на частоте ω₀, При идеальном диоде

Тогда при малых углах θ входное сопротивление АД составит

Это выражение используют на практике для оценки входного сопротивления АД на вакуумных или на полупроводниковых диодах, если (R_i)_ОБР >> R_Н.

При рассмотрении влияния (R_i)_ОБР на R_ВХ следует оценить амплитуду тока первой гармоники, учитывая величину и разнополярность импульсов прямого и обратного тока, протекающего через диод. При этом можно показать, что при малых углах θ

Проанализируем зависимость R_ВХ(R_Н). При R_H=0 угол отсечки θ= π/2, поэтому, как следует из

и

При R_H→∞из вытекает, что R_ВХ→(R_i)_ОБР/3. Таким образом, с увеличением сопротивления нагрузки величина входного сопротивления АД возрастает от R_BX=2/S при R_H= 0 до значения (R_i)_ОБР/3 при R_H→∞. Физически это объясняется тем, что источник сигнала шунтируется диодом, который открыт только часть периода входного сигнала, равную 2θ. При увеличении величины R_H уменьшается угол отсечки от π/2 до значений, близких к нулю. Это приводит к уменьшению амплитуды тока первой гармоники, протекающей через диод, следовательно, к возрастанию величины R_BX.

В общем случае при рассмотрении входного сопротивления АД следует учитывать и реактивную составляющую.

Эта составляющая обусловлена емкостью р-n перехода диода паразитной емкостью монтажа. Она невелика и составляет единицы пикофарад, однако может привести к смещению резонансной кривой входного контура АД.