Общетехнические и экономические параметры полупроводниковых приборов

К общетехническим и экономическим параметрам полупроводниковых при­боров относят массу, механическую прочность, термостойкость, надежность, устойчивость к повышенным и пониженным давлениям, стоимость и другие па­раметры, определяющие экономичность и возможные области применения элек­тронных устройств. Рассмотрим эти параметры подробнее.

Масса полупроводниковых приборов невелика и определяется в основном массой корпуса и выводов Поэтому масса маломощных бескорпусных приборов составляет 0,01—0,1 г, а приборов в металлическом корпусе 1—10 г. Только мощные диоды и тиристоры имеют массу до 0,1—0,2 кг.

Механическая прочность полупроводниковых приборов весьма высока. Большинство из них выдерживают вибрационные ускорения до-(10—100)g в диа­пазоне частот до 1500 Гц, удары с ускорением (50—500)g.

Рабочие температуры для германиевых приборов, как правило, лежат в диа­пазоне от —40 -;--60° С до 60—80° С. Для кремниевых приборов верхний пре­дел рабочих температур может достигать 100—120° С.

Надежность полупроводниковых приборов удобно характеризовать средним временем безотказной работы, которое составляет 10⁵ — 10⁷ ч.

Давление окружающего воздуха при работе полупроводниковых приборов может колебаться в широких пределах. Большинство приборов надежно рабо­тает при давлениях 7-10² — З-10⁵ Па.

Система обозначений полупроводниковых приборов

Полупроводниковые приборы обозначают буквенно-цифровым кодом

Первый элемент обозначения — буква или цифра, означающая исходный полупроводниковый материал:

германий — Г или 1;

кремний — К или 2;

соединения галлия — А или 3.

Второй элемент обозначения — буква, определяющая класс прибора:

транзисторы биполярные — Т;

транзисторы полевые — П;

диоды выпрямительные — Д;

диоды сверхвысокочастотные — A

варикапы — В;

диоды туннельные и обращенные — И;

стабилитроны — С;

тиристоры диодные до 10 А — Н;

тиристоры триодные до 10 А — У;

Третий элемент обозначения — однозначное число от 1 до 9, определяющее диапазон основных параметров прибора (мощность, частота, ток и т. д.).

Четвертый и пятый элементы обозначения — двузначное число от 01 до 99, означающее номер разработки.

Шестой элемент обозначения — буквы русского алфавита от А до Я, озна­чающие деление технологического типа на параметрические группы.

Примеры обозначений: ГТ308В — германиевый транзистор; высокочастот­ный, малой мощности, номер разработки 08, коэффициент усиления тока базы 50—120; КД202Р — кремниевый выпрямительный диод, средней мощности, но­мер разработки 02, максимально допустимое обратное напряжение 600 В.