Порядок выполнения работ

1.Изучить принцип действия транзистора, обратив внимание на его основное свойство – способность усиливать электрические сигналы.

2.Выписать из справочника основные параметры исследуемого транзистора

3.Для исследования ВАХ транзистора собрать схему с ОЭ (см. рис. 1).

4.Снять семейство входных характеристик при напряжениях Uкэ = 0 и Uкэ = 10 В и управ­ляющую характеристику при напряжении Uкэ =10В. Напряжение Uбэ изменять от нуля до значения, при котором ток коллектора достигает значения Iк.доп для данного транзи­стора. Обе зависимости реко­мендуется воспроизвести на од­ном графике, выбрав разные мас­штабы по оси токов.

5.Снять семейство выходных характеристик транзистора при трех значениях тока базы. Значения токов IБ, при которых снимаются выходные характеристики, определить так, чтобы наибольшее значение IБ соответствовало значению IК, близкому к 0,8×IК.доп., а наименьшее значение – значению 0,4×IК.доп.. Третье значение IБ выбрать среднее между ними (следует помнить, что ток базы и ток коллектора связаны следующим соотношением Iб = Iк / h21э).

6.По экспериментальным дан­ным построить характеристики.

7.Определить h-параметры транзистора в схеме с ОЭ. Параметры h22э и h21э определяют по выходным, а h11э и h12э – по входным характеристикам.

1)Определение выходной проводимости транзистора в схеме с ОЭ h22э.

Рис. 2. Выходные характеристики транзистора
Uкэп
Iб2 = Iбп
Iб3
Iб1

На линейном участке выходных характеристик транзистора, полу­ченных экспериментально в схеме ОЭ, выбрать рабочую точку А (т.е. задать Iбп и Uкэп), в кото­рой требуется найти h-параметры (рис. 2).

 

Далее при постоянном токе базы Iбп задать приращение и найти получающееся при этом приращение тока коллектора . Выходная проводимость транзи­стора h22Э вычисляется по форму­ле:

,

2)Определение коэффициента передачи тока в схеме ОЭ h21э.

По выходным характеристикам схемы ОЭ (рис. 2) при посто­янном напряжении на коллекторе (UКЭП=const), определить приращение тока коллектора , переходя вдоль вертикаль­ной оси с характеристики с базовым током IБ1, до другой -с базовым током IБ3. Коэффициент передачи тока h21Э вычисляется по формуле:

.

3)Определение входного сопротивления в схеме с ОЭ h11э.

На входных, характеристиках транзистора с ОЭ (рис. 3), полу­ченных экспериментально, выбрать ра­бочую точку А, ту же, что и при опре­делении параметра h22Э.

Задать приращение тока базы ( ) при постоянном напряжении на коллекторе и найти получившееся при этом приращение напряжения базы ( ). Входное сопротивление h11э оп­ределяется по формуле:

Рис. 3. Входные характеристики транзистора

.

4)Определение коэффициента обратной связи по напряжению h12э.

По входным характеристикам в той же рабочей точке А при постоян­ном токе базы задать приращение напряжения «коллектор – эмиттер» ( ) (перейти на соседнюю характеристику) (рис.3.). Определить получающееся при этом изменение напряжения «база – эмиттер» ( ).

Коэффициент обратной связи по напряжению h12э находится по формуле:

.

Для маломощных низкочастотных транзисторов, работающих в активном режиме в схеме с ОЭ, значения h-параметров лежат в пределах:

h11э = 102...103 Ом; h12э = 10 -4...10 -3;

h21э = 10...100 ; h22э = 10 -5...10 -4 Ом –1.

 

Лабораторная работа 3
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХДОМ

 

4.2. Порядок выполнения работы.

Работа выполняется на универсальной установке 87Л-01.

Схема исследования полевого транзистора показана на рис. 4.5.

4.2.1. Исследовать влияние напряжения на затворе на ток стока.

4.2.1.1. Снять управляющую характеристику транзистора iC=f(UЗИ) при напряжении на стоке UСИ=6 В. Данные эксперимента занести в таблицу и на график.

4.2.1.2. По данным п. 4.2.1.1. найти напряжение отсечки UЗИ0.

 

Рисунок 4.5

 

4.2.1.3. Найти значение крутизны S=∆iC/∆UЗИ.

4.2.2. исследовать влияние напряжения на стоке на ток стока.

4.2.2.1 Снять семейство выходных характеристик транзистора iC=f(UСИ) при трех значениях напряжения на затворе: UЗИ=0,3UЗИ0, 0,5UЗИ0, 0,7UЗИ0.

4.2.2.2 Указать для каждой характеристики границу между линейным режимом и режимом насыщения.

4.2.2.3 Определить значение выходного сопротивления транзистора rC в линейном диапазоне и в режиме насыщения. Построить зависимость rC=f(UЗИ) для линейного режима.

 








Дата добавления: 2016-02-16; просмотров: 752;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.008 сек.