Порядок выполнения работ
1.Изучить принцип действия транзистора, обратив внимание на его основное свойство – способность усиливать электрические сигналы.
2.Выписать из справочника основные параметры исследуемого транзистора
3.Для исследования ВАХ транзистора собрать схему с ОЭ (см. рис. 1).
4.Снять семейство входных характеристик 
при напряжениях Uкэ = 0 и Uкэ = 10 В и управляющую характеристику 
при напряжении Uкэ =10В. Напряжение Uбэ изменять от нуля до значения, при котором ток коллектора достигает значения Iк.доп для данного транзистора. Обе зависимости рекомендуется воспроизвести на одном графике, выбрав разные масштабы по оси токов.
5.Снять семейство выходных характеристик транзистора 
при трех значениях тока базы. Значения токов IБ, при которых снимаются выходные характеристики, определить так, чтобы наибольшее значение IБ соответствовало значению IК, близкому к 0,8×IК.доп., а наименьшее значение – значению 0,4×IК.доп.. Третье значение IБ выбрать среднее между ними (следует помнить, что ток базы и ток коллектора связаны следующим соотношением Iб = Iк / h21э).
6.По экспериментальным данным построить характеристики.
7.Определить h-параметры транзистора в схеме с ОЭ. Параметры h22э и h21э определяют по выходным, а h11э и h12э – по входным характеристикам.
1)Определение выходной проводимости транзистора в схеме с ОЭ h22э.
Рис. 2. Выходные характеристики транзистора
|
| Uкэп |
| Iб2 = Iбп |
| Iб3 |
| Iб1 |
На линейном участке выходных характеристик транзистора, полученных экспериментально в схеме ОЭ, выбрать рабочую точку А (т.е. задать Iбп и Uкэп), в которой требуется найти h-параметры (рис. 2).
Далее при постоянном токе базы Iбп задать приращение 
и найти получающееся при этом приращение тока коллектора 
. Выходная проводимость транзистора h22Э вычисляется по формуле:
,
2)Определение коэффициента передачи тока в схеме ОЭ h21э.
По выходным характеристикам схемы ОЭ (рис. 2) при постоянном напряжении на коллекторе (UКЭП=const), определить приращение тока коллектора 
, переходя вдоль вертикальной оси с характеристики с базовым током IБ1, до другой -с базовым током IБ3. Коэффициент передачи тока h21Э вычисляется по формуле:
.
3)Определение входного сопротивления в схеме с ОЭ h11э.
На входных, характеристиках транзистора с ОЭ (рис. 3), полученных экспериментально, выбрать рабочую точку А, ту же, что и при определении параметра h22Э.
Задать приращение тока базы ( 
) при постоянном напряжении на коллекторе и найти получившееся при этом приращение напряжения базы ( 
). Входное сопротивление h11э определяется по формуле:
Рис. 3. Входные характеристики транзистора
|
.
4)Определение коэффициента обратной связи по напряжению h12э.
По входным характеристикам в той же рабочей точке А при постоянном токе базы задать приращение напряжения «коллектор – эмиттер» ( 
) (перейти на соседнюю характеристику) (рис.3.). Определить получающееся при этом изменение напряжения «база – эмиттер» ( 
).
Коэффициент обратной связи по напряжению h12э находится по формуле:
.
Для маломощных низкочастотных транзисторов, работающих в активном режиме в схеме с ОЭ, значения h-параметров лежат в пределах:
h11э = 102...103 Ом; h12э = 10 -4...10 -3;
h21э = 10...100 ; h22э = 10 -5...10 -4 Ом –1.
Лабораторная работа 3
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХДОМ
4.2. Порядок выполнения работы.
Работа выполняется на универсальной установке 87Л-01.
Схема исследования полевого транзистора показана на рис. 4.5.
4.2.1. Исследовать влияние напряжения на затворе на ток стока.
4.2.1.1. Снять управляющую характеристику транзистора iC=f(UЗИ) при напряжении на стоке UСИ=6 В. Данные эксперимента занести в таблицу и на график.
4.2.1.2. По данным п. 4.2.1.1. найти напряжение отсечки UЗИ0.
Рисунок 4.5
4.2.1.3. Найти значение крутизны S=∆iC/∆UЗИ.
4.2.2. исследовать влияние напряжения на стоке на ток стока.
4.2.2.1 Снять семейство выходных характеристик транзистора iC=f(UСИ) при трех значениях напряжения на затворе: UЗИ=0,3UЗИ0, 0,5UЗИ0, 0,7UЗИ0.
4.2.2.2 Указать для каждой характеристики границу между линейным режимом и режимом насыщения.
4.2.2.3 Определить значение выходного сопротивления транзистора rC в линейном диапазоне и в режиме насыщения. Построить зависимость rC=f(UЗИ) для линейного режима.
Дата добавления: 2016-02-16; просмотров: 705;