Порядок выполнения работ

1.Изучить принцип действия транзистора, обратив внимание на его основное свойство – способность усиливать электрические сигналы.

2.Выписать из справочника основные параметры исследуемого транзистора

3.Для исследования ВАХ транзистора собрать схему с ОЭ (см. рис. 1).

4.Снять семейство входных характеристик при напряжениях U_кэ = 0 и U_кэ = 10 В и управ­ляющую характеристику при напряжении U_кэ =10В. Напряжение U_бэ изменять от нуля до значения, при котором ток коллектора достигает значения I_к.доп для данного транзи­стора. Обе зависимости реко­мендуется воспроизвести на од­ном графике, выбрав разные мас­штабы по оси токов.

5.Снять семейство выходных характеристик транзистора при трех значениях тока базы. Значения токов I_Б, при которых снимаются выходные характеристики, определить так, чтобы наибольшее значение I_Б соответствовало значению I_К, близкому к 0,8×I_К.доп., а наименьшее значение – значению 0,4×I_К.доп.. Третье значение I_Б выбрать среднее между ними (следует помнить, что ток базы и ток коллектора связаны следующим соотношением I_б = I_к / h_21э).

6.По экспериментальным дан­ным построить характеристики.

7.Определить h-параметры транзистора в схеме с ОЭ. Параметры h_22э и h_21э определяют по выходным, а h_11э и h_12э – по входным характеристикам.

1)Определение выходной проводимости транзистора в схеме с ОЭ h_22э.

Рис. 2. Выходные характеристики транзистора

Далее при постоянном токе базы I_бп задать приращение и найти получающееся при этом приращение тока коллектора . Выходная проводимость транзи­стора h_22Э вычисляется по форму­ле:

,

2)Определение коэффициента передачи тока в схеме ОЭ h_21э.

По выходным характеристикам схемы ОЭ (рис. 2) при посто­янном напряжении на коллекторе (U_КЭП=const), определить приращение тока коллектора , переходя вдоль вертикаль­ной оси с характеристики с базовым током I_Б1, до другой -с базовым током I_Б3. Коэффициент передачи тока h_21Э вычисляется по формуле:

.

3)Определение входного сопротивления в схеме с ОЭ h_11э.

На входных, характеристиках транзистора с ОЭ (рис. 3), полу­ченных экспериментально, выбрать ра­бочую точку А, ту же, что и при опре­делении параметра h_22Э.

Задать приращение тока базы ( ) при постоянном напряжении на коллекторе и найти получившееся при этом приращение напряжения базы ( ). Входное сопротивление h_11э оп­ределяется по формуле:

Рис. 3. Входные характеристики транзистора

4)Определение коэффициента обратной связи по напряжению h_12э.

По входным характеристикам в той же рабочей точке А при постоян­ном токе базы задать приращение напряжения «коллектор – эмиттер» ( ) (перейти на соседнюю характеристику) (рис.3.). Определить получающееся при этом изменение напряжения «база – эмиттер» ( ).

Коэффициент обратной связи по напряжению h_12э находится по формуле:

.

Для маломощных низкочастотных транзисторов, работающих в активном режиме в схеме с ОЭ, значения h-параметров лежат в пределах:

h11э = 10²...10³ Ом; h_12э = 10 ^-4...10 ^-3;

h_21э = 10...100 ; h_22э = 10 ^-5...10 ^-4 Ом ^–1.

Лабораторная работа 3
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХДОМ

4.2. Порядок выполнения работы.

Работа выполняется на универсальной установке 87Л-01.

Схема исследования полевого транзистора показана на рис. 4.5.

4.2.1. Исследовать влияние напряжения на затворе на ток стока.

4.2.1.1. Снять управляющую характеристику транзистора i_C=f(U_ЗИ) при напряжении на стоке U_СИ=6 В. Данные эксперимента занести в таблицу и на график.

4.2.1.2. По данным п. 4.2.1.1. найти напряжение отсечки U_ЗИ0.

Рисунок 4.5

4.2.1.3. Найти значение крутизны S=∆i_C/∆U_ЗИ.

4.2.2. исследовать влияние напряжения на стоке на ток стока.

4.2.2.1 Снять семейство выходных характеристик транзистора i_C=f(U_СИ) при трех значениях напряжения на затворе: U_ЗИ=0,3U_ЗИ0, 0,5U_ЗИ0, 0,7U_ЗИ0.

4.2.2.2 Указать для каждой характеристики границу между линейным режимом и режимом насыщения.

4.2.2.3 Определить значение выходного сопротивления транзистора r_C в линейном диапазоне и в режиме насыщения. Построить зависимость r_C=f(U_ЗИ) для линейного режима.