Биполярные транзисторы. Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими р-n переходами

Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими р-n переходами. Биполярные транзисторы различаются по структуре. В зависимости от чередования областей различают биполярные транзисторы типа «p-n-p» и «n-p-n» (рис. 1).

Область транзистора, расположенная между р-n переходами, называется базой. Область транзистора, из которой происходит инжекция носителей в базу, называется эмиттером, а соответствующий переход – эмиттерным.

а) б)

Рисунок 1

Область транзистора, осуществляющая экстракцию носителей из базы, называется коллектором, а переход – коллекторным.

По применяемому материалу транзисторы делятся на германиевые, кремниевые и арсенид-галлиевые.

По технологии изготовления транзисторы бывают сплавные, диффузионные, эпитаксиальные, планарные. Толщина базы делается значительно меньше диффузионной длины неосновных носителей в ней. При равномерном распределении примеси в базе внутренне электрическое поле в ней отсутствует, и неосновные носители движутся вследствие процесса диффузии. Такие транзисторы называются диффузионными или бездрейфовыми. При неравномерном распределении примесей в базе имеется внутреннее электрическое поле, и неосновные носители движутся в ней в результате дрейфа и диффузии. Такие транзисторы называются дрейфовыми. Кроме того, концентрация атомов примесей в эмиттере и коллекторе (низкоомные области) значительно больше, чем в базе (высокоомная область).

Площадь коллекторного перехода больше эмиттерного, что способствует увеличению коэффициента переноса носителей из эмиттера в коллектор.

По мощности, рассеиваемой коллекторным переходом, транзисторы делятся на:

- малой мощности (Р < 0,3 Вт);

- средней мощности (0,3 Вт < P < 1,5 Вт);

- большой мощности (Р > 1, 5 Вт).

По частотному диапазону транзисторы делятся на:

- низкочастотные (f_пр < 3 МГц);

- среднечастотные (3 МГц < f_пр < 30 МГц);

- высокочастотные (30 МГц < f_пр < 300 МГц);

- сверхвысокочастотные (f_пр > 300 МГц).