Токи в биполярном транзисторе

В соответствии с рис. 3 ток эмиттера I_э имеет две составляющие – электронную I_эn и дырочную I_эр:

. (5)

Обратный ток коллектора в цепи базы противоположен току рекомбинации:

. (6)

Ток коллектора имеет две составляющие – управляемый ток I_купр и обратный ток I_кбо:

. (7)

С учетом выражений (5) – (7)

. (8)

В активном режиме токи коллектора и эмиттера почти равны, а ток базы равен их разности. Коллекторный ток практически не зависит от напряжения на коллекторном переходе. Поля контактной разности потенциалов достаточно для экстракции всех электронов, достигших коллекторного перехода. Поэтому дифференциальное сопротивление коллекторного перехода очень велико. Дифференциальное сопротивление прямосмещенного эмиттерного перехода очень мало: r_э << r_к. При изменении эмиттерного тока на ΔI_э практически на такую же величину возрастает коллекторный ток. Однако изменение потребляемой мощности в цепи эмиттера значительно меньше изменения мощности в выходной цепи , т.е. транзистор способен управлять большой мощностью в коллекторной цепи при небольших затратах мощности в эмиттерной.