Интегральные диоды и стабилитроны.

Любой из pn переходов транзисторной структуры может быть использован для формирования диодов, обычно используется переходы база–эмиттер и база–коллектор. На рис. 9 представлено пять возможных вариантов использования pn переходов в качестве диода:

– на основе перехода база– эмиттер с коллектором, закороченным на базу (БК–Э);

– на основе перехода коллектор–база с эмиттером, закороченным на базу (БЭ–К);

– с использование эмиттерного и коллекторного переходов, когда эмиттерные и коллекторные области соединены (Б–ЭК);

– на основе перехода база эмиттер, с разомкнутой цепью коллектора (Б–Э);

– на основе перехода база–коллектор с разомкнутой цепью эмиттера (Б–К).

Основные параметры этих типов включения представлены в табл. 4. Из этой таблице видно, что пробивное напряжение Uпр больше у тех вариантов, в которых используется коллекторный переход, а обратные токи Iобр меньше у тех вариантов, в которых используется только эмиттерный переход. Емкость диода между катодом и анодом Cд у вариантов с наибольшей площадью перехода (т.е. для включения Б–ЭК) максимальна. Паразитная емкость на подложку Cо минимальна у варианта Б–Э. Время восстановления обратного тока tв, характеризующего время переключения диода, минимально для варианта БК–Э, так как у этого варианта накапливается заряд только в базе.

Табл. 4. Параметры интегральных диодов от схемы включения.
Параметры Вариант включения
  БК–Э БЭ–К Б–ЭК Б–Э Б–К
Uпр, В 7…8 40…50 7…8 7…8 40…50
Iобр, нА 0,5…1,0 15…30 20…40 0,5…1,0 15…30
Cд, пФ 0,5 0,7 1,2 0,5 0,7
Cо, пФ 1,2
tв, нс

Оптимальными для микросхем являются вариантами диода являются БК–Э и Б–Э. пробивное напряжение для такого типа включения составляет 7…8 В, что вполне достаточно для использования этих вариантов в низковольтных микросхемах.

Стабилитроны в интегральных схемах необходимы для фиксирования определенного уровня или для стабилизации напряжения. Интегральные стабилитроны могут формироваться на базе структуры интегрального транзистора в в различных вариантах в зависимости от необходимого напряжения стабилизации и его температурного коэффициента. Обратное включение диода Б–Э используется для получения напряжения 5…10 В с температурным коэффициентом +(2…5)мВ/°С. В этом случае диод работает в режиме лавинного пробоя. Обратное включение диода БЭ–К применяют для получения напряжения стабилизации 3…5 В с температурным коэффициентом –(2…3) мВ/°С. для фиксации напряжения можно использовать один или несколько последовательно включенных в прямом направлении диодов БК–Э. При этом напряжение стабилизации кратно напряжению на открытом переходе (0,7 В). Температурная чувствительность такого включения составляет – 2мВ/°С.








Дата добавления: 2016-01-07; просмотров: 2021;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.