Резисторы и конденсаторы

В качестве резисторов можно использовать объемные сопротивления эмиттерной, базовой или коллекторной областей.

Наиболее часто в полупроводниковых ИС применяются резисторы на основе базовой области (рис. 1.12). Чтобы изолировать резистор от подложки паразитный р–n–р-транзистор должен находиться в режиме отсечки. С этой целью на вывод К от n-слоя подают высокий потенциал. Отклонение от номинального значения сопротивления составляет 10...20 %. Помимо резисторов на основе типовой
n–р–n-структуры в современных ИС в качестве резисторов используют тонкие резистивные пленки, создаваемые методом ионного легирования, когда примеси внедряются в подложку путем бомбардировки ее поверхности потоком ионов. В этом случае удается получить резистивные пленки толщиной 0,1...0,3 мкм.

Рис. 1.12

В некоторых случаях в полупроводниковых ИС применяют тонкопленочные резисторы, напыляемые на поверхность двуокисикремния. Такие резисторы отличаются более высокой точностью изготовления.

В полупроводниковых ИС в качестве конденсаторов используют либо емкости р–n-переходов, либо МДП-структуры. Если в качестве конденсатора используется емкость р–n-перехода, то на переход должно быть подано обратное напряжение. При этом емкость кон­денсатора будет зависеть от величины этого напряжения. Чаще используется вариант с коллекторным переходом. Практически емкость рабочего конденсатора С_кб не превышает 300 пФ с допуском ±20 %

Лучшими свойствами обладают МДП-конденсаторы (рис. 1.13), у которых нижней обкладкой является эмиттерный n⁺-слой, диэлектриком слои SiO2, а верхней обкладкой металлическая пленка. Емкость такого конденсатора почти не зависит от величины и знака приложенного напряжения. Практически удельная емкость составляет от 400 до 650 пФ/см² при допуске ±20 %.

Таким образом, микроэлектронные технологии позволяют получить конденсаторы малой емкости, причем с низкой добротностью и точностью.

Рис. 1.13