Дифузионные конденсаторы

Основаны на использовании барьерной емкости обратно смешенного p-n перехода. В них может быть использован один из p-n переходов структуры биполярного транзистора: изолирующий переход между подложкой р-типа и коллектором n-типа, коллекторный или эмиттерный переход.

Конденсаторы создают одновременно с другими элементами в изолированных от них островках. При их применении необходимо соблюдать полярность подключения обратного напряжения к используемому p-n переходу.

Удельная емкость конденсатора, построенного на эмиттерном переходе, в несколько раз превышает удельную емкость конденсатора на коллекторном переходе, но пробивное напряжение его составляет единицы вольт , тогда как для конденсатора на коллекторном переходе-десятки вольт.

К недостаткам конденсатора, создаваемых на основе p-n переходов, следует отнести: небольшую величину удельной емкости; сравнительно большую площадь обкладок, значительно превышающую площадь транзистора; зависимость емкости от напряжения и наличие паразитных емкостей из-за изолирующих p-n переходов, а так же необходимость соблюдения полярности при включении.Эти недостатки ограничивают применение конденсаторов в ИМС.

МДП-конденсаторы

Имеют структуру металл-окисел-полупроводник. В качестве нижней обкладки в них используют полупроводниковый слой n-типа; диэлектриком служит слой двуокиси кремния Si толщиной до 0,1 мкм, а верхней обкладкой-пленка алюминия. Их удельная емкость порядка 650пФ/ , пробивное напряжение 50В, допуск на емкость ±10%. МДП-конденсаторы не требуют соблюдения определенной полярности напряжения, кроме того, их емкость не зависит от приложенного напряжения.