Виды полевых транзисторных структур и дискретных транзисторов с изолированным затвором

Полевая транзисторная структура с изоли­рованным затвором отличается от полевого транзисторной структуры с управ­ляющим переходом электрической изоляцией затвора от проводящего канала. Изо­ляция затвора от канала осуществляется посредством изоляцион­ного (диэлектрического) слоя. Учитывая структуру области зат­вора, реализуемые на основе полевых транзисторных структур дискретные транзисторы с изолированным затвором, называют МДП-транзисторами (металл-диэлектрик - полупровод­ник). Если в качестве изоляционного слоя используется окисел (например, двуокись кремния Si0₂), то их называет МОП-тран­зисторами (металл-окисел-полупроводник).

В зависимости от способа формирования проводящего канала МДП-транзисторные структуры подразделяются на структуры с индуцирован­ным каналом и со встроенным каналом, а в зависи­мости от вида проводимости канала - на структуры с каналом -типа и -типа.

В свою очередь МДП- структуры с индуцированным каналом относят к структурам обогащенного типа, так как они работа­ют в режиме обогащения канала подвижными носителями заряда, когда происходит увеличение

проводимости канала относительно его исходной малой начальной проводимости, а МДП- структуры со встроенным каналом - к структурам обедненного типа, так они часто работают в режиме обеднения исходного канала подвиж­ными носителями заряда, при котором достигается уменьшение проводимости канала относительно его исходной достаточно боль­шой начальной проводимости.

В качестве мощных приборов используется главным образом МДП-транзисторы с обогащением канала, поскольку в отличие от транзисторов со встроенным каналом они проводят ток только в случае образования проводящего канала. Мощные полевые транзисторы характеризуются повышенными значениями тока стока, напряжений между электродами и преоб­разуемой мощности, что отражается на их структуре. Наилучшие результаты с точки зрения достижения максимально возможных значений перечисленных выше величин, а также быстродействия достигаются в транзисторах с обогащением -канала, так как подвижность электронов, обуславливающих ток через проводящий канал, выше подвижности дырок.