Статические характеристики, параметры и эквивалентная схема транзистора с индуцированным каналом

Статические характеристики. Семейство выходных характеристик полевого транзистора с изолированным затвором с индуцированным - каналом изображено на рис.5,а. По виду оно мало отличается от семейства характеристик полевого транзистора с управляющим переходом.

Начальный участок характеристик в диапазоне напряжений 0 - соответствует омическому режиму работы транзистора. Изгиб характеристик в области перехода от крутой к пологой части (режиму насыщения) объясняется появлением участка перекрытия канала, ведущего в итоге к насыщению тока стока (как в полевом транзисторе с управляющим переходом). При увеличении напряжения | | до значения возникает лавинный пробой перехода сток – подложка. При этом напряжение | | растет с увеличение напряжения | | для транзисторов с длинным каналом и уменьшается для транзисторов с коротким каналом (у которых суммарная толщина обедненных слоев р -п переходов исток-подложка и сток-подложка в подэатворной части подложки соизмерима с дли­ной проводящего канала).

Характеристики передачи рассматриваемого полевого транзистора (рис.5,б), снятые при различных напряжениях стока в области напряжений, больших напряжений насыщения, начинаются при одном и том же пороговом напряжении затвора и идут слаборасходящимся пучком.

Параметры. Для оценки усилитель­ных свойств полевых МДП - тран­зисторов и при расчете схем используются те же параметры, что и для полевых транзисторов с управляющим переходом - -параметры – крутизна характеристики транзистора (проводимость прямой передачи), выходная проводимость, проводимость обратной передачи (обратной связи) статический коэффициент усиления по напряжению, а также дифференциальное входное сопротивление и входное сопротивление транзистора постоянному току.

Эквивалентная схема. На низких частотах МДП- транзистор может быть замещен эквивалентной схемой в системе -параметров, показанной на рис.6. Схема включает емкости затвор – исток , затвор – сток , генератор тока и выходную проводимость .