Параметры электрического режима. Области безопасной работы

Виды параметров транзисторов

Свойства транзисторов и транзисторных структур характеризуются электрическими параметрами, которые определяют назначение и области применения транзисторов и структур. В свою очередь электрические параметры транзисторов и структур могут быть реализованы только при определенных условиях - режимах эксплуатации, которые также характеризуются своими параметрами. Это относится прежде всего к параметрам электрического и теплового режимов эксплуатации.

Среди разнообразных и достаточно многочисленных параметров транзисторов наибольшее употребление находят параметры малого сигнала, большого сигнала и параметры по постоянному току.

Параметры малого сигнала дают связь между малыми приращениями токов и напряжений, определяющих заданный режим транзистора.

Параметры большого сигнала дают связь между интегральными значениями токов и напряжений.

Параметры по постоянному току – неуправляемые токи транзистора.

Параметры электрического режима. Области безопасной работы

Параметры электрического режима – это токи, напряжения электродов, мощности, рассеиваемые транзистором, определяющие состояние электронно-дырочных переходов транзистора.

Электрический режим работы транзистора обычно характеризуется номинальными параметрами режима, предельные значения которых определяют как максимально допустимые, при которых еще обеспечивается заданная надежность работы транзистора и значения которых не должны превышаться при любых условиях эксплуатации. Значения максимально допустимых параметров образуют границы области электрических режимов эксплуатации транзистора, которая представляется в виде области безопасных режимов работы (ОБР).

Границы ОБР транзистора образуют:

- максимально допустимые токи коллектора и базы (постоянные и имульсные), ограничиваемые максимально допустимой температурой коллекторного перехода, снижением коэффициента передачи тока транзистора и др.;

- максимально допустимые напряжения эмиттер – база, коллектор – база, коллектор – эмиттер, ограничиваемые напряжениями пробоя переходов или напряжением смыкания коллекторного и эмиттерного переходов;

- максимально допустимые рассеиваемые мощности постоянная и импульсная, ограничиваемые тепловым состоянием транзистора, характеризуемым температурой разогрева его структуры.

На рис.1 в качестве иллюстрации приведено семейство выходных ВАХ транзистора в схеме с ОБ с границами ОБР, а на рис.2 - зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры окружающей среды . Из рис.2 следует, что до некоторой температуры условия теплоотвода обеспечивают номинальный температурный режим транзисторной структуры.