Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов

1) Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов.Полупроводниковым диодом называется устройство, состоящее из кристалла полупроводника, содержащее обычно один p-n переход и имеющее два вывода.

Классификация диодов производится по следующим признакам:

1]По конструкции:

плоскостные диоды;

точечные диоды;

микросплавные диоды.

2]По мощности:

маломощные;

средней мощности;

мощные.

3]По частоте:

низкочастотные;

высокочастотные;

СВЧ.

4]По функциональному назначению:

выпрямительные диоды;

импульсные диоды;

стабилитроны;

варикапы;

светодиоды;

тоннельные диоды

и так далее.

Условное обозначение диодов подразделяется на два вида:

- маркировка диодов;

- условное графическое обозначение (УГО) – обозначение на принципиальных электрических

схемах.

По старому ГОСТу все диоды обозначались буквой Д и цифрой, которая указывала на электрические параметры, находящиеся в справочнике.

Новый ГОСТ на маркировку диодов состоит из 4 обозначений:

I –показывает материал полупроводника:

Г (1) – германий; К (2) – кремний; А (3) – арсенид галлия.

II –тип полупроводникового диода:

Д – выпрямительные, ВЧ и импульсные диоды;

А – диоды СВЧ;

C – стабилитроны;

В – варикапы;

И – туннельные диоды;

Ф – фотодиоды;

Л – светодиоды;

Ц – выпрямительные столбы и блоки.

III –три цифры – группа диодов по своим электрическим параметрам:

импульсные

ВЧдиоды

выпрямительные

Д

501 599

401 499

101 399

IV –модификация диодов в данной (третьей) группе.

а) Так обозначают выпрямительные, высокочастотные,

СВЧ, импульсные и диоды Гана; б) стабилитроны; в)

варикапы; г) тоннельные диоды; д) диоды Шоттки; е)

светодиоды; ж) фотодиоды; з) выпрямительные блоки

2) Конструкция полупроводниковых диодов.Основой плоскостных и точечных диодов является кристалл полупроводника n-типа проводимости, который называется базой транзистора. База припаивается к металлической пластинке, которая называется кристаллодержателем. Для плоскостного диода на базу накладывается материал акцепторной примеси и в

вакуумной печи при высокой температуре (порядка 500 °С) происходит диффузия акцепторной примеси в базу диода, в результате чего образуется область p-типа проводимости и

p-n переход большой плоскости (отсюда название).

Вывод от p-области называется анодом, а вывод от n-области – катодом (смотрите рисунок

28).

Большая плоскость p-n перехода плоскостных диодов позволяет им работать при больших

прямых токах, но за счёт большой барьерной ёмкости они будут низкочастотными.

Точечные диоды.

К базе точечного диода подводят вольфрамовую проволоку, легированную атомами акцептор-

ной примеси, и через неё пропускают импульсы тока силой до 1А. В точке разогрева атомы акцепторной примеси переходят в базу, образуя p-область (смотрите рисунок 30).

Получается p-n переход очень малой площади. За счёт этого точечные диоды будут высокочастотными, но могут работать лишь на малых прямых токах (десятки миллиампер).