Собственная проводимость полупроводников

Примесная проводимость полупроводников

Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках

1) Собственная проводимость полупроводников.Собственным полупроводником,

или же полупроводником i-типа называется идеально химически чистый полупроводник с

однородной кристаллической решёткой.

Кристаллическая структура полупроводника на плоскости может быть определена следующим образом.

Если электрон получил энергию, большую ширины запрещённой зоны, он разрывает ковалентную связь и становится свободным. На его месте образуется вакансия, которая имеет по-

4-х валентны

ложительный заряд, равный по величине заряду электрона и называется дыркой. В полупроводнике i-типа концентрация электронов ni равна концентрации дырок pi. То есть ni=pi.

Процесс образования пары зарядов электрон и дырка называется генерацией заряда.

Свободный электрон может занимать место дырки, восстанавливая ковалентную связь и при

этом излучая избыток энергии. Такой процесс называется рекомбинацией зарядов. В процессе

рекомбинации и генерации зарядов дырка как бы движется в обратную сторону от направления движения электронов, поэтому дырку принято считать подвижным положительным носи-

телем заряда. Дырки и свободные электроны, образующиеся в результате генерации носителей

заряда, называются собственными носителями заряда, а проводимость полупроводника за счёт

собственных носителей заряда называется собственной проводимостью проводника.