Влияние внутренней обратной связи транзистора на работу избирательного усилителя
Схема замещения усилителя представлена на рис.8.15. Допустим, что в рабочем диапазоне частот a(jw) = a0 ¾ вещественная величина.
На резонансной частоте w = w0 сопротивление контура чисто активное ZK = R0, тогда выходное напряжение U2 и ток коллектора iК совпадают по фазе. На резонансной частоте , когда колебательный контур представляет собой чисто активное сопротивление, через сопротивление rК осуществляется ООС, т.е. в точку Б' через сопротивление rК передается сигнал обратной связи от контура со знаком "+".
На частотах, больших резонансной частоты (w > w0), колебательный контур ведет себя как емкостное сопротивление, следовательно, напряжение U2 отстает от тока коллектора iК примерно на 90°, напряжение на емкости СК также отстает от iК примерно на 90°. Таким образом, через емкость СК в точку Б' будет передаваться сигнал обратной связи со сдвигом на 180°, и в этом случае обратная связь транзистора будет отрицательной.
На частотах, меньших резонансной частоты (w < w0), колебательный контур ведет себя как индуктивное сопротивление, следовательно, напряжение U2 опережает ток коллектора iК примерно на 90°, а напряжение на емкости СК отстает от iК примерно на 90°. Таким образом, через емкость СК в точку Б' будет передаваться сигнал обратной связи с нулевым фазовым сдвигом, и в этом случае через СК осуществляется положительная обратная связь.
Таким образом, при w = w0 осуществляется ООС через rК, при w > w0 осуществляется ООС через СК, при w < w0 осуществляется ПОС через СК.
Условие возникновения ПОС через СК (баланс амплитуд):
bВН × КВН > 1, (8.14.)
где КВН = U2 / U1, bВН = U1 / U2 при UВХ = 0.
Чтобы усилитель был устойчив, его коэффициент усиления должен удовлетворять неравенству
. (8.15.)
Для увеличения усилительных свойств усилителя вводят компенсирующую ООС (рис.8.16.).
Дата добавления: 2015-12-16; просмотров: 1046;