Диффузионная емкость p-n-перехода

Диффузионная емкость отражает перераспределение зарядов вблизи p-n-перехода и проявляется в основном при прямом смещении перехода. Изменение прямого напряжения на p-n-переходе изменяет величину заряда неравновесных носителей в базе. Это изменение заряда обуславливает диффузионную емкость:

. (2.22)

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковыми диодами называют электропреобразовательные приборы с одним p-n-переходом, имеющие 2 электрических вывода.

Обозначение диодов на принципиальной схеме зависит от их функционального назначения. Основные типы диодов:

1. силовые (выпрямительные) диоды;

2. опорные диоды (стабилитроны и стабисторы);

3. импульсные диоды;

4. туннельные диоды;

5. варикапы;

6. СВЧ- диоды;

7. магнитодиоды;

8. светодиоды и т.д.

Силовые диоды

Силовые диоды предназначены для выпрямления тока промышленной частоты. В них используются вентильные свойства вольт-амперной характеристики p-n-перехода. На рис.3.1. представлено условное обозначение диода и его вольт-амперная характеристика, совмещенная с характеристикой p-n-перехода.

Положение вольт-амперной характеристики выпрямительного диода смещено относительно вольт-амперной характеристики р-n-перехода в сторону больших прямых напряжений (за счет конечного сопротивления р и n областей кристалла и подводящих проводов) и в сторону больших обратных токов (за счет наличия тока утечки). Паразитные параметры диода ухудшают вентильные свойства диода.

Основные параметры силовых диодов:

1. I_пр.cр. ¾ среднее допустимое значение прямого тока;

2. U_пр.ср. ¾ прямое падение напряжения при допустимом прямом токе;

3. U_обр.max ¾ допустимое обратное напряжение диода, не приводящее к электрическому пробою;

4. I_обр.max ¾ величина обратного тока диода при допустимом обратном напряжении;

5. Р_доп. ¾ допустимая мощность, рассеиваемая на приборе;

6. t°_раб.max ¾ максимально допустимая рабочая температура;

7. f _max ¾ предельная рабочая частота.