Обратное включение p-n-перехода

Обратное включение p-n-перехода осуществляется подачей внешнего напряжения Uобр положительным потенциалом к области n, отрицательным ¾ к области р (рис.2.3.).

Внутреннее и внешнее электрические поля направлены в одну сторону, поэтому потенциальный барьер возрастает на величину Uобр. При этом увеличивается объемный заряд в p-n-переходе, и ширина p-n-перехода возрастает до значения d1:

(2.7)

Возросший потенциальный барьер затрудняет движение основных носителей через p-n-переход, поэтому уменьшается создаваемый этими носителями диффузионный ток. Т.к. дрейфовая составляющая тока, обусловленная неосновными носителями заряда, зависит только от температуры, то ее можно считать неизменной. Через диод будет протекать ток в обратном направлении:

Jобр = Jдр - Jдиф. (2.8)

При небольших обратных напряжениях наблюдается увеличение обратного тока за счет уменьшения диффузионной составляющей; при некотором обратном напряжении, когда диффзионная составляющая тока уменьшится до нуля, обратный ток останется постоянным (рис.2.4). Т.о. обратный ток через переход определяется величиной и направлением дрейфовой составляющей тока, и его величина зависит от вероятности появления неосновных носителей заряда на границе перехода. А т.к. эта вероятность определяется температурой, то обратный ток назвали тепловым током Iт.

Вторая составляющая тока через p-n-переход ¾ это ток термогенерации Iтг, вызванный тепловой генерацией пар электрон-дырка в самом переходе (т.е. появлением основных носителей заряда). Наряду с процессом генерации происходит процесс регенерации, который обусловлен теми основными носителями областей p и n, которые, обладая достаточной энергией, попадают в область p-n-перехода и частично ре комбинируют с образовавшимися там зарядами. В равновесном состоянии (при отсутствии внешнего напряжения) токи термогенерации и рекомбинации компенсируют друг друга. При наличии обратного напряжения тормозящее поле p-n-перехода уменьшает ток рекомбинации, и ток термогенерации начинает над ним преобладать.

Третья составляющая тока через p-n-переход ¾ ток поверхностной утечки, который линейно зависит от величины обратного напряжения и создается различными загрязнениями на внешней поверхности p-n-структуры:

. (2.9)

Т.о. обратный ток p-n-перехода состоит из трех составляющих:

1. тепловой ток, обусловленный неосновными носителями заряда;

2. ток термогенерации, обусловленный основными носителями;

3. ток поверхностной утечки, обусловленный выходом p-n-перехода на поверхность.

Вольт-амперная характеристика обратного включения p-n-перехода представлена на рис.2.5.








Дата добавления: 2015-12-16; просмотров: 1338;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.005 сек.