ИССЛЕДОВАНИЕ БАРЬЕРНОЙ И ДИФФУЗИОННОЙ ЕМКОСТЕЙ p-n ПЕРЕХОДА
При подаче внешнего напряжения на р – n переход изменяется ширина ОПЗ и, следовательно, накопленный заряд ионизированных ионов примеси в этом слое. Изменение заряда под действием внешнего напряжения воспринимается внешней цепью как емкость. Поскольку эта емкость зависит от высоты барьера, она получила название барьерной.
Барьерная емкость р-n перехода может быть представлена в виде формулы емкости плоского конденсатора:
, (2.1)
где e - диэлектрическая проницаемость полупроводника, eo электрическая постоянная, S - площадь р – n перехода, d - ширина ОПЗ.
При приложении к р-n переходу внешнего напряжения будет изменяться величина контактной разности потенциалов j, что приведет к изменению ширины ОПЗ d. и, следовательно, барьерной емкости Сб.
При положительном смешении на р-n переходе, когда плюс внешнего источника приложен к р- области, контактная разность потенциалов уменьшается на величину приложенного напряжения Uвн.
j =jo + Uвн
В этом случае в соответствии с (2.12) и (2.14) ширина ОПЗ уменьшится (рис. 5, б), а барьерная емкость Сб возрастет.
При отрицательном смещении на р-n переходе, когда минус внешнего источника приложен к р - области, контактная разность потенциалов увеличится на величину приложенного напряжения Uвн:
j =jo - Uвн,
а ширина ОПЗ возрастет (рис.5,с); при этом барьерная емкость уменьшится.
|
do
а)
|
d
б)
|
d
в)
Рис. 1.
Подставляя в формулу для емкости плоского конденсатора (2.1) выражение для ширины ОПЗ
(2.2)
получим окончательные выражения для барьерной емкости с учетом внешнего напряжения смещения:
. (2.3)
В случае несимметричного р-n перехода для практически наиболее распространенного варианта, когда nnppполучим:
, (2.4)
, (2.5)
Для плавного р-n перехода формула для барьерной емкости будет иметь следующий вид:
(2.6)
Как видно из приведенных выше формул барьерная емкость зависит от концентрации легирующей примеси, прежде всего, в слаболегированном слое и проявляет сильную зависимость от приложенного напряжения. Последняя зависимость носит название вольт-фарадной характеристики (ВФХ). Для построения ВФХ необходимо знать барьерную емкость при нулевом внешнем смещении СБ0, которая приводится в справочных данных на конкретный тип диода. В нашем случае она может быть определена при внешнем напряжении Uвн=0 для резкого перехода по следующим формулам (соответственно, для симметричного и несимметричного р-n переходов):
, . (2.7)
и плавного перехода:
(2.8)
Тогда вольт-фарадные зависимости могут быть определены через СБ0:
, . (2.9)
Графическая зависимость ВФХ имеет вид:
|
Рис.2.
При прямых напряжениях в емкости перехода преобладает диффузионная емкость, обусловленная изменением распределения концентрации неосновных носителей заряда. Увеличение прямого напряжения приводит к большему уровню инжекции и возрастанию концентрации неосновных носителей заряда Δnp, Δpn вблизи ОПЗ (рис.3).
|
Рис.3.
Увеличение заряда неосновных носителей приводит к увеличению диффузионной емкости Сд, в то же время это сопровождается ростом прямого тока через переход. Таким образом, диффузионная емкость прямо пропорционально зависит от прямого тока:
, (2.10)
где: In, Ip – электронная и дырочная составляющая прямого тока;
In0,Ip0 - электронная и дырочная составляющая обратного теплового тока;
τn,τp – время жизни электрона и дырки.
Так как обратный тепловой ток много меньше прямого тока, то им можно пренебречь. Выражая прямой ток через физические параметры р-n перехода и внешнее напряжение получим формулу для диффузионной емкости:
, (2.11)
где: Ln, Lp – диффузионные длины электронов и дырок, равные:
, , (2.12)
где: Dn,Dp – коэффициенты диффузии электронов и дырок, которые могут быть определены из соотношения Эйнштейна:
, . (2.13)
Выражение (2.11) описывает диффузионную емкость на низкой частоте. Для высоких частот диффузионная емкость уменьшается с ростом частоты по закону (ω)-1/2. Поэтому на высоких частотах основной вклад в емкость р-n перехода вносит барьерная емкость.
<== предыдущая лекция | | | следующая лекция ==> |
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СТЕПЕНИ ЛЕГИРОВАНИЯ НА КОНТАКТНУЮ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ И ШИРИНУ ОПЗ p-n ПЕРЕХОДА | | | Вимірювання фізичних величин |
Дата добавления: 2015-10-09; просмотров: 1750;