ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА УДЕЛЬНУЮ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКА

Цели работы:

1. Построить зависимость изменения сопротивления кремниевого полупроводника с примесью фосфора от температуры, R = f(t).

2. Определить по ней зависимость изменения удельной электропроводности от температуры, lg( ) = f(1000/T).

3. По этой зависимости определить ширину запрещенной зоны кремния и энергию активации электронов фосфора .