СХЕМЫ ПОДАЧИ СМЕЩЕНИЯ НА ВХОД ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
В отличие от биполярных транзисторов входной ток полевых транзисторов с управляемым переходом составляет около 10-9... 10-12 А, и для МДП-транзисторов около 10-14... 10-15 А. Это позволяет подключить к управляющему электроду резистор с очень большим сопротивлением (около одного мегом и выше).
Транзисторы с управляемым переходом, как правило, работают с полярностью напряжения на затворе, противоположной полярности напряжения на стоке. Такое смещение можно получить за счет включения резистора Rи в цепь истока (рис. 14.3,а). При протекании тока через резистор Rи на нем создается падение напряжения , в результате чего потенциал затвора относительно истока будет смещен в обратном направлении на величину . Таким образом, для транзистора с каналом Р- типа (рис. 14.3) потенциал затвора по отношению к истоку будет положительным. Смещение на затворе полевого транзистора желательно .выбирать таким, чтобы точка покоя была близка к термостабильной точке транзистора М (рис. 14.3,в).
|
Наличие резистора в цепи истока стабилизирует ток истока (стока) при изменении температуры и смене транзисторов. Действительно, при увеличении тока увеличивается падение напряжения на сопротивлении что приводит к увеличению смещения и уменьшению тока истока (стока). Для хорошей стабилизации желательно иметь большое сопротивление в цепи истока, однако это приводит к смещению точки покоя в область малых токов. Для уменьшения напряжения смещения при значительном сопротивлении Rи к источнику ЕС подключают делитель напряжения Rд1, Rд2. При этом напряжение смещения , где . Для того чтобы не было отрицательной обратной связи по переменному току, резистор RН шунтируют конденсатором большой емкости, сопротивление которой на нижней частоте гораздо меньше, чем Rи. В отличие от полевого транзистора с управляемым PN-переходом, транзисторы с изолированным затвором могут работать с нулевым, отрицательным или положительным смещением, поэтому применяют схемы подачи смещения рис. 14.3,а. и 14.3,б. У МДП-транзисторов с индуцированным каналом отсутствует проводящий канал между областями истока и стока при напряжении между затвором и истоком, равным нулю, поэтому для данных транзисторов применяют схему подачи смещения рис. 14.3,6.
Дата добавления: 2015-09-18; просмотров: 5725;