Интегральные микросхемы

Интегральная микросхема - микроэлектронное изделие, содержащее не менее пяти активных элементов (транзисторов, диодов) и пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, дросселей), которые изготавливаются в едином технологическом процессе, электрически соединены между собой, заключены в общий корпус и представляют неделимое целое.

Основные параметры интегральных микросхем:

• плотность упаковки (количество элементов в единице объема);

• степень интеграции (количество элементов в микросхеме).

По степени интеграции интегральные микросхемы делятся:

I степень интеграции - до 10 элементов;

II степень интеграции - от 10 до 100 элементов;

III степень интеграции - от 100 до 1000 эле­ментов и т.д.

По конструктивно-технологическому признаку на:

Гибридные — пассивные элементы таких микросхем выполнены посредством нанесения пленок на поверхность диэлектрической подложки; активные элементы представляют собой бескорпусные полупроводниковые приборы (плотность упаковки - до 150 эл/см³; степень интеграции -1 и II).

Полупроводниковые - все элементы таких микросхем выполнены в объеме и на поверхности полупроводника (плотность упаковки - до 10⁵ эл/см³; степень интеграции - VI и выше).

Интегральные микросхемы делятся на аналоговые и цифровые. Для аналоговых характерна пропорциональность входных и выходных сигналов, на них строятся усилители и генераторы аналоговых сигналов. Цифровые микросхемы применяются в ЭВМ.