А) структурная схема; б) передаточная характеристика; в) схемное изображение

Такой режим носит название «режима обеднения». При отрицательном напряжении на затворе электрическое поле притягивает дырки из подложки, они скапливаются в области канала, сопротивление канала уменьшается, /_с рас­тет («режим обогащения»). Передаточная характеристика МДП-транзистора показана на (рис. 92 б). Его стоковые ха­рактеристики /_с = f(Uc) при U₃ = const по виду аналогичны характеристикам транзистора с затвором р-п-типа. (рис. 916). Схемные изображения МДП-транзисторов со встроенным каналом n-типа и р-типов представлены на рис. 92 в.

У МДП-транзисторов с индуцированным каналом последний заранее не создается, и в транзисторах, исполь­зующих пластину с проводимостью, например, n-типа, при U₃ > 0 и U₃= 0 ток 1_С = 0 (рис. 93, а, б).

Рис. 93. МДП-транзистор с индуцированным каналом: