А) структурная схема; б) передаточная характеристика; в) схемное изображение
Такой режим носит название «режима обеднения». При отрицательном напряжении на затворе электрическое поле притягивает дырки из подложки, они скапливаются в области канала, сопротивление канала уменьшается, /с растет («режим обогащения»). Передаточная характеристика МДП-транзистора показана на (рис. 92 б). Его стоковые характеристики /с = f(Uc) при U3 = const по виду аналогичны характеристикам транзистора с затвором р-п-типа. (рис. 916). Схемные изображения МДП-транзисторов со встроенным каналом n-типа и р-типов представлены на рис. 92 в.
У МДП-транзисторов с индуцированным каналом последний заранее не создается, и в транзисторах, использующих пластину с проводимостью, например, n-типа, при U3 > 0 и U3= 0 ток 1С = 0 (рис. 93, а, б).
Рис. 93. МДП-транзистор с индуцированным каналом:
Дата добавления: 2015-09-11; просмотров: 1973;