А) структурная схема; б) передаточная характеристика; в) схемное изобоажение

Образование канала в таких приборах происхо­дит при подаче на затвор только отрицательного напря­жения (U₃ < 0). Тогда в результате вытеснения из поверх­ностного слоя электронов и подтягивания дырок из n-пластины происходит образование между стоком и ис­током инверсного слоя полупроводника с проводимо­стью, аналогичной проводимости С и И, в данном случае р-типа, и, чем более отрицательным будет напряжение на затворе, тем больший 1_С будет в канале. Передаточная ха­рактеристика такого транзистора показана на (рис. 4 б). Стоковые характеристики МДП-транзистора с индуци­рованным каналом аналогичны характеристикам транзи­стора с затвором в виде p-n-перехода Схемные изобра­жения МДП-транзисторов с индуцированным каналом п- и р-типов представлены на рис. 4 в.

Основные характеристики полевых транзисторов: крутизна характеристики передачи

S = dI_с / dUз при U_c = const;

дифференциальное сопротивление стока (канала) на участке насыщения

Rвых = dU_c / dl_c при Uз = const.

Полевые транзисторы используются в усилителях, а также находят применение в качестве сенсорных датчиков, в устройствах для обнаружения скрытой проводки.

ФОРМА ОТЧЕТА

1. Краткое описание полевых транзисторов

2. Схема исследования полевых транзисторов

3. Таблицы измеренных значений. Входные и выходные характеристики

4. Вывод.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ