МДП-транзисторы со встроенным каналом

В МДП-транзисторах со встроенным каналом проводящий канал под затвором существует при отсутствии напряжения на затворе. Проводящий канал под затвором МДП-транзистора может быть создан в результате локальной диффузии или ионной имплантации соответствующих примесей в приповерхностный слой подложки. Он может возникнуть из-за перераспределения примесей вблизи поверхности полупроводниковой подложки в процессе термического окисления ее поверхности. Наконец, проводящий канал может появиться под затвором из-за фиксированного заряда в подзатворном диоксиде кремния, а также из-за наличия контактной разности потенциалов между металлом затвора и полупроводником подложки.

Модуляция сопротивления канала происходит при изменении напряжения как положительной, так и отрицательной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения.

Сравнение полевых транзисторов

С биполярными

1. Принцип действия. В биполярном транзисторе управление входным сигналом производится входным током, а в полевом - входным напряжением или электрическим полем.

2. Биполярные транзисторы имеют низкое входное сопротивление, а полевые – высокое.

3. Полевые транзисторы, как правило, обладают более низким уровнем шума (особенно на низких частотах). В биполярных транзисторах на низких частотах шумы связаны с рекомбинацией носителей в р-n-переходе и базе, а также генерационно-рекомбинационными процессами на поверхности прибора.

4. Поскольку полевые транзисторы являются униполярными приборами, они не чувствительны к эффектам накопления неосновных носителей, и поэтому имеют более высокие граничные частоты и скорости переключения.

5. Усилители на биполярных транзисторах имеют более высокие коэффициенты усиления, чем на полевых.

[1] Кристаллические решетки твердых тел представляют собой периодические структуры и являются естественными трехмерными дифракционными решетками.

1 – функция может быть комплексной величиной, поэтому , где - функция, комплексно сопряженная .

* Термин “инверсия” означает обращение, переворачивание.

[2]⁾ Инжекционный ток часто называют диффузионным током, так как он вызван диффузией основных носителей заряда через понизившийся потенциальный барьер