Полевые транзисторы с изолированным затвором. Структуры МДП-транзисторов

Полевой транзистор с изолированным затвором – это полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.

Полевые транзисторы данного типа в настоящее время является основным элементом сверхбольших и ультрабольших интегральных схем (СБИС и УБИС), таких как микропроцессоры и полупроводниковые запоминающие устройства. В последнее время они находят широкое применение и в мощных схемах.

Поскольку ток в транзисторах с изолированным затвором переносится в основном носителями одного типа (электронами в n-канале и дырками в p-канале), эти транзисторы относят к классу униполярных приборов.

Структура полевых транзисторов с изолированным затвором показана на рис.8.7.

В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильнолегированные области с противоположным типом электропроводности. На эти области нанесены металлические электроды – исток и сток.

Расстояние между сильнолегированными областями истока и стока может составлять всего несколько микрометров. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким (порядка 0,1 мкм) слоем диэлектрика. На слой диэлектрика нанесен металлический электрод - затвор. Получается структура, состоящая из слоев металла, диэлектрика и полупроводника (МДП-структура).

Полевой транзистор с изолированным затвором называют МДП-транзистором.

а	б
в	г

Рис.8.7. Структуры и обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором:

a) с индуцированным p-каналом; б) cо встроенным p-каналом; в) с индуцированным n-каналом ; г) cо встроенным n-каналом