Тенденции и перспективы развития датчиков тревожной сигнализации

По результатам проведенных исследований можно сделать краткий вывод о том, что современным датчикам тревожной сигнализации присущи следующие основные тенденции развития:

· интеграция различных принципов действия (например, двойной технологии: инфракрасный и микроволновый в одном корпусе);

· интеграция датчиков со средствами связи;

· микросистемная интеграция;

· использование компьютерной (микропроцессорной) обработки;

· наличие искусственного интеллекта;

· децентрализация, самотестирование и автономность работы.

Пожалуй, наиболее революционные изменения в оперативно-технических характеристиках датчиков произошли после внедрения микропроцессорной обработки сигналов (МПОС), которая позволила обеспечить в дальнейшем все перечисленные выше тенденции развития. Этот вывод можно подтвердить на примере современных датчиков “разбития стекла”, использующих микропроцессорный анализатор сигналов, распознающий характерные спектральные составляющие, возникающие при разбивании стекла.

В частности, датчики серии DS1100 фирмы Detection Systems используют микропроцессорный анализатор сигналов, который контролирует аналоговый сигнал в широком спектре частот. Включение тревоги происходит только в том случае, если спектральные составляющие сигнала и их временная динамика изменения соответствует набору справочных данных. В этом случае снижается вероятность ложной тревоги и гарантируется надежная работа датчика в сложных условиях. Данные датчики предназначены для защиты простых, закаленных и армированных стекол, а также стекол с пленочным покрытием. Режим тестирования позволяет проводить проверку уровня внешних шумов, осуществлять раздельный контроль уровня инфранизких и высокочастотных шумов и определять место оптимального расположения датчика даже в сложных условиях.

Рассматривая перспективы развития ДТС, нельзя не остановиться на эффективных тонкопленочных магниторезистивных датчиках, в которых используется магниторезистивный эффект, т.е. изменение электрического сопротивления материала под воздействием внешнего магнитного поля. Основными элементами структуры датчика являются два ферромагнитных слоя, изготовленные из сплавов Со, Ni, Fe и разделенные прослойкой немагнитного металла – Cu, Ag, Au и др. В качестве фиксирующего слоя, создающего обменное взаимодействие с ближайшим ферромагнитным слоем для его фиксации, обычно используются пленки FeMn, FeIr, NiO.

Среди областей применения магниторезистивных датчиков можно отметить устройства для измерения напряженности постоянного и переменного магнитного поля (магнитометры), навигационные приборы (электронные компасы), измерители тока, устройства гальванической развязки, датчики углового и линейного положений, линейки (матрицы) датчиков для диагностики печатных плат и изделий из ферромагнитных материалов, датчики для автомобилей (тахометры), комбинированные головки воспроизведения для магнитных дисков и лент, системы безопасности.

Пожалуй, наиболее сильное влияние на развитие ДТС в последние годы оказали фотоэлектрические приборы с переносом заряда (ФППЗ). В этих твердотельных приборах зарядовые пакеты передаются к выходному устройству вследствие перемещения положения потенциальных ям. Пороговая чувствительность ФПЗС соответствует восприятию изображения объекта при свете звезд. В настоящее время ФПЗС являются основной элементной базой в следующих областях:

· бытовые телевизионные системы (форматы VHS, SVHS, HDTV и др.);

· специализированные телевизионные системы: охрана, медицина, анализ движущихся изображений, научные исследования, транспорт;

· техническое зрение роботов;

· устройства ввода изображения в ЭВМ;

· цифровые фотокамеры;

· бесконтактные измерительные устройства;

· наземная и космическая астрономия;

· дистанционное зондирование Земли из космоса;

· системы безопасности.

В теории энергоинформационного взаимодействия известен эффект изменения хода часов при воздействии внешнего торсионного поля. Поэтому в качестве основы датчика, реагирующего на изменение торсионной обстановки в помещении при появлении человека, был взят датчик времени с электронным задающим генератором. В ходе экспериментов была также разработана методика исследований, позволившая выделить торсионное воздействие среди прочих. В течение трех лет велась работа по созданию элементов, чувствительных к воздействию торсионных полей, и выявлению их влияния на чувствительность и пространственную избирательность датчика.

Разработанный датчик торсионного поля был подвергнут тщательным экспериментальным исследованиям, в результате которых было установлено:

· электронный датчик времени, помещенный в многослойный заземленный электромагнитный экран-корпус, реагирует на перемещения человека относительно датчика на расстоянии нескольких метров;

· наблюдаемая величина реакции датчика на перемещения человека, выраженная относительным изменением периода или частоты задающего генератора, может быть использована в различных практических приложениях;

· различные схемотехнические и конструкционные решения позволяют получить свойство пространственной направленности датчика, а также повысить его чувствительность.

Полученные практические результаты по созданию датчика торсионного поля являются весьма многообещающими и представляют несомненный интерес для разработчиков не только средств защиты от вредных полей, но также и средств контроля НСД к различным объектам.

Таким образом, датчики тревожной сигнализации, являющиеся обязательным звеном любой современной системы безопасности, определяют основные оперативно-технические характеристики СБ, динамично развиваются и имеют хорошие перспективы дальнейшего развития.

Рисунок 4.Схема системы мониторинга и оперативного реагирования.