Продольный перенос горячих электронов
В некоторых типах полевых транзисторов и наноструктур кинетическая энергия электронов, ускоряемых электрическим полем, может становиться очень высокой и значительно превышать равновесную тепловую энергию, имеющую порядок kТ. Естественно, что эффективная температура, соответствующая распределению по энергии таких ускоренных электрическим полем электронов, будет намного выше температуры кристаллической решетки. В этих случаях принято говорить, что распределение электронов «отрывается» от распределения решетки, а сами такие электроны получили название горячих электронов. Следуя квазиклассическому подходу, эффективную температуру электронов для распределения со средней энергией можно определить из соотношения
. (6.1)
Перенос горячих электронов хорошо изучен в объемных полупроводниках, а с начала 90-х годов это явление стали исследовать и в различных наноструктурах. Изучение продольного переноса в гетероструктурах AlGaAs/GaAsпоказало, что под воздействием электрического поля скорость электронов в них действительно значительно превышает значения для обычных, объемных кристаллов GаАs, причем разница возрастает с уменьшением температуры, как показано на рис. 6.4. Увеличение скорости приписывали квантованию энергии электронов в квантовых ямах. Значения скорости особенно высоки для низшей подзоны (Е = Е1)по сравнению со второй подзоной (Е = Е2),в которой электронные волновые функции могут простираться достаточно далеко в область барьера и как следствие носители располагаются гораздо ближе к заряженным донорам, повышая эффективность рассеяния на примесных атомах.
Очень интересный эффект, названный пространственным переносом горячих электронов (RSТ), возникает при продольном движении горячих электронов в квантовых гетероструктурах, и он уже стал основой нового типа высокочастотных устройств. Этот эффект заключается в том, что при достаточно высокой энергии электронов некоторые из них могут просто «выскочить» из ямы, подобно тому как это показано на рис. 6.5 для квантовых ям в структурах типа АlGaAs/GаАs/АlGаАs, где электроны переходят из нелегированного слоя GаАs в легированный барьер АlGаАs. В электронных приборах на основе структур с пониженной размерностью, подобных показанному на рис. 6.5, б, при повышении напряженности между источником и стоком электроны могут переходить из материала с высокой подвижностью электронов (GаАs) в материал с низкой подвижностью (АlGаАs).
В результате этого процесса на вольт-амперной характеристике, как показано на рис. 6.5, в, возникает область с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС). Эффект отрицательного дифференциального сопротивления может быть использован для создания нового класса устройств, называемых резонансными туннельными транзисторами.
Рис. 6.4. Дрейфовая скорость электронов при продольном переносе в модулированно-легированных гетероструктурах АlGаАs/GаАs. Для сравнения приводится и кривая для объемного GаАs. |
В объемных материалах движение носителей в электрическом поле обычно изучалось при размерах образцов, значительно превышающих свободный пробег электронов. В современных электронных приборах, основанных на полевом эффекте (например, в полевых МОП-транзисторах), расстояние исток-сток и длина затвора становятся очень короткими (порядка нескольких сотен нм).
Рис. 6.5. (а) Механизм возникновения отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС); (б) структура прибора, работающего с использованием эффекта ОДС; (в) вольт-амперная характеристика |
Такое уменьшение размеров приводит к тому, что электроны в канале ускоряются электрическим полем практически без столкновений. Такие электроны получили название баллистических, и достигаемые ими дрейфовые скорости могут достигать значений порядка 107 см/с, что вдвое превышает дрейфовую скорость насыщения для объемных полупроводников.
Это явление называют эффектом всплеска дрейфовой скорости (velocity overshoot effect), и он уже используется в полевых транзисторах для сокращения времени пролета электронов между истоком и стоком, что позволяет повысить высокочастотные характеристики приборов.
Дата добавления: 2015-08-11; просмотров: 867;