Схема с общим эмиттером. Схема включения транзисторов типа "p-n-p" и "n-p-n" с общим эмиттером показана на рис

Схема включения транзисторов типа "p-n-p" и "n-p-n" с общим эмиттером показана на рис. 5.4.20.

R_н R_н

~ ~

– + + – + – – +

Е_б Е_к Е_б Е_к

a) транзистор типа "p-n-p" b) транзистор типа "n-p-n"

Рис. 5.4.20. Включение транзисторов по схеме с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером источник управляющего сигнала включен в цепь базы, а сопротивление нагрузки – в цепь коллектора. Поэтому входным током здесь является ток базы I_б, а выходным – ток коллектора I_к.

Поскольку I_э = I_б + I_к , то I_б = I_э – I_к ;

Учитывая, что = α, находим ток коллектора:

I_к = α · I_э ;

Отсюда определяем выражение для тока базы:

I_б = I_э – α · I_э = I_э · (1 – α);

Коэффициент усиления по току β для схемы с общим эмиттером:

β = = = ;

Обычно коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером находится в пределах β = (100 ¸ 150).

Коэффициент усиления по напряжению для схемы с общим эмиттером определяется выражением:

к_U = ;

Выходное напряжение равно: U_вых = I_к · R_н ;

Входное напряжение: U_вх = I_б · R_вх ;

к_U = = β · ;