По технологии изготовления

В соответствии с технологией получения в кристалле зон с различными типами проводимости транзисторы деляся на:

- точечный (практически не применяется);

- сплавные;

- диффузионные;

- диффузионно- планарные;

- сплавно-диффузионные;

- планарно-диффузионные

- планарно-эпитаксиальные.

Точечный транзистор (старинный)

Рис. 8.13 точечный транзисторp-n-p, изображенный схематически.

1 - латунный или иной кристаллодержатель;

2 - области p-типа (эмиттер и коллектор);

3 - припой или золотой сплав (контакт базы);

4 - кристалл n-типа (база);

5 - эмиттерный точечный контакт (бериллиевая бронза);

6 - коллекторный точечный контакт (фосфористая бронза);

7 - область n-типа.

Две заостренные проволочки прижаты к полупроводниковому кристаллу n-типа (германий), припаянному к металлическому кристаллодержателю.

Особенность: хороший коллектор точечного транзистора обязательно должен содержать примесь n-типа.

Коллекторные переход и контакт и эмиттерный переход формируются подачей на коллекторный вывод импульса сильного тока. При этом медь (I-валентная) проволочки с большой скоростью диффундирует в материал n-типа в области коллектора и эмиттера (германий) и в небольшой области превращает его в материал p-типа. Медленно же диффундирующий материал примеси в область коллектора (фосфор, V-валентный, фосфористая бронза) в непосредственной близости от контакта коллектора снова превращает материал в германий n-типа.

В результате образуется структура p-n-pn-транзистора (транзистор с коллекторной ловушкой).

Эмиттерный контакт можно сделать почти из любого металла в данном случае контакт содержит примесь бериллия (II валентный, бериллиевая бронза)

Cплавной плоскостной транзистор

Рис. 8.14 сплавной плоскостной транзистор типа p-n-p, показанный схематически в разрезе.

p-n переходы образуются как и при технологии изготовления сплавного диода, рассмотренного выше.

Эпитаксиально - планарный транзистор

Рис.8.15 Эпитаксиально - планарный транзистор n-p-n изготовленный методом двойной локальной диффузии.

На подложке n+ выращен эпитаксиальный слой n и затем последовательно произведена двойная локальная диффузия (через маску SiO₂).