Включение

Пусть в момент времени t, подается отпирающее входное напряжение, ток базы скачком устанавливается .

Рис.7.3. Динамические характеристики включения

Причем R_б выбрано таким образом, что I_б > I_бн.

, где τ_тр – постоянная времени транзистора, определяемая емкостью n – p транзистора и характеризует инерционные свойства транзистора. Под действием тока базы, ток коллектора увеличивается и стремится к β*I_б.

Но на уровне тока насыщения увеличение тока прекращено, что соответствует моменту времени t₂. Далее ток коллектора не изменяется , но в базе транзистора происходит накопление избыточных носителей заряда до времени t₃.

I_б > I_бн

Динамическому режиму работы транзистора соответствует этап формирования фронта импульса [t₁, t₂]. Длительность фронта импульса можно найти из уравнения:

Из этой формулы видно, что длительность фронта уменьшается с увеличением тока базы.