Общие сведения. Двухэлектродный полупроводниковый элемент - диод содержит n- и p -проводящий слои (рис
Двухэлектродный полупроводниковый элемент - диод содержит n- и p -проводящий слои (рис. 1.1.1). В n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в p-проводящем слое - дырки. Существующий между этими слоями p-nпереход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.
|
При прямом приложении напряжений («+» к слою p, «—» к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт). При обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями.
Дата добавления: 2015-08-01; просмотров: 560;