Запираюче (зворотне) ввімкнення контакту

Коли до контакту прикладена зовнішня напруга в зворотному напрямку, енергетичні рівні р-напівпровідника піднімаються, а n-напівпровідника опускаються (рис.7.8). Висота потенціального бар’єру зростає на величину qV. Збільшується також ширина контактної області

Через p-n-перехід протікає зворотній струм, зумовлений неосновними носіями заряду, потік яких практично не змінюється, тому що для них не існує потенціального бар’єра. Величина цього потоку обмежується концентрацією і дифузійною довжиною неосновних носіїв заряду. Потік же основних носіїв заряду зменшується, тому що для них величина потенціального бар’єра зросла на величину qV. Через контакт протікає невеликий зворотній струм, який змінюється по такому ж закону, як і для контакту метал-напівпровідник (7.7).