Способи одержання р-n-переходів

Сплавні p-n-переходи одержують шляхом розплавлення на поверхні n-германію індію (In), тривалентного елементу, який являється в германії акцепторною домішкою.

При нагріванні до 550^оС в нейтральній атмосфері водню, або аргону індій плавиться і розчиняє частину германію. Після охолодження утворюється рекристалізований шар р-Ge (рис.7.12). Це монокристалі германію, який є продовженням кристалічної гратки пластинки германію, але легований акцепторною домішкою індію.

Дифузійні p-n-переходи формуються шляхом перекомпенсації (зміни типу провідності напівпровідника) n-кремнію в р-кремній за рахунок дифузії при температурі 1200^оС в поверхневий шар акцепторної домішки бора (В), наприклад, із парів борної кислоти Н₃ВО₃ . Створюючи на поверхні пластини захисну маску із двоокису кремнію SiO₂ , формують p-n-переходи в певних місцях. (рис.7.13). Це планарна технологія виготовлення інтегральних мікросхем. Глибина залягання переходу залежить від температури і часу дифузійного процесу.

Епітаксіальні p-n-переходи утворюються в процесі епітаксіального нарощування на напівпровідникову підкладку шару напівпровідника, наприклад, кремнію із газової фази моносілану (SiH₄) на поверхню кремнію. Епітаксіальний процес – це вирощування шару напівпровідника із газової фази, в результаті чого утворюється монокристалічна плівка, яка є продовженням кристалічної гратки підкладки. Додаючи в камеру елементи донорної чи акцепторної домішки, можна формувати баготошарову структуру р- і n-областей (сендвіч).

Метод іонної імплантації – легування напівпровідника шляхом бомбардування прискореними іонами відповідної домішки (іонним пучком).