Польові транзистори з ізольованим заслоном
ПТ з ізольованим заслоном – це транзистори в яких заслін відділений від каналу таким шаром діелектрика, найчастіше SiO2. Товщина цього шару 0.2 – 0.3 мікрони.
Їх ще називають МДН, або МОН.
Вони діляться на транзистори з вбудованим або наведеним (індукованим) каналом.
В перших канал сформований у процесі виготовлення.
В других канал виникає при прикладені зовнішньої напруги.
Другі є найбільш поширені.
ПТ може працювати в режимі збідненні і в режимі збагачення, виникає при розширенні каналу.
Транзистор з наведеним каналом можуть тільки в режимі збагачення. При прикладені певної напруги до заслона між двома острівками n+ виникає канал.
Для збільшення підсилення в кристалі НП формують багато каналів і з’єднують їх паралельно, в результаті виходить крута ВАХ .
ПТ з ізольованим заслоном мають ще вищий вхідний опір до 1012 Ом. Робоча частота може сягати 100 Гц. Напруга до 1000 В. Вони мають дуже малий опір у відкритому стані. Це сотні, тисячі долі Ома. В комірках пам’яті замість SiO2 окисну плівку утворюють Si3O4, яка має ще кращі ізоляційні властивості.
Дата добавления: 2015-07-24; просмотров: 644;