Общие сведения. Униполярным транзистором (полевым (ПТ) или канальным) называется полупроводниковый прибор, в котором усилительные свойства обусловлены потоком основных

Униполярным транзистором (полевым (ПТ) или канальным) называется полупроводниковый прибор, в котором усилительные свойства обусловлены потоком основных носителей заряда одной полярности, протекающего через проводящий канал и управляемый электрическим полем.

Идею устройства этих приборов предложил еще в 1952 г. один из изобретателей биполярного транзистора У. Шокли. Главным достоинством ПТ является высокое входное сопротивление и в настоящее время они все более вытесняют БТ. Их работа основана на изменении сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем. При этом в них используются носители зарядов только одного вида (электроны или дырки), именно поэтому ПТ еще называют униполярными.

Чтобы изменять сопротивление полупроводника с помощью электрического поля, можно изменять либо площадь поперечного сечения проводящего полупроводникового слоя, либо его удельную проводимость. В ПТ используют оба способа и соответственно различают транзисторы с управляющим p-n переходом и МОП-транзисторы. Последние, в свою очередь, подразделяют на МОП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналами. В МОП – транзисторах («металл – оксид – полупроводник») электрод, управляющий выходным током (затвор) отделен от основного полупроводника тонким слоем диэлектрика, в качестве которого используется обычно двуокись (диоксид) кремния SiO₂. Слой диэлектрика уменьшает ток утечки перехода на входе транзистора до 10^-10¸10^-15 А, уменьшает входную емкость, т.е. увеличивает входное сопротивление этого прибора. Работа МОП - транзисторов основана на изменении удельного сопротивления канала. При создании разности потенциалов между объемом полупроводника и изолированным электродом (затвором) у поверхности полупроводника образуется слой с концентрацией носителей зарядов, отличной от их концентрации в остальном объеме полупроводника, канал, сопротивлением которого можно управлять, изменяя напряжение на затворе.

В транзисторах с управляющим p-n переходом в качестве основы используется кремний.