Температурные свойства

На электропроводность полупроводников значительное влияние оказывает температура.

При повышении температуры усиливается генерация пар носителей заряда, т.е. увеличивается их концентрация и возрастает проводимость.

Как видно из рис. 4.4 - при повышении температуры прямой и обратный токи растут.

У германиевых диодов обратный ток возрастает примерно в 2 раза при повышении температуры на каждые 10° С. Это выражается следующим соотношением:

i_ОБР (t°) = i_{ОБР (20°)}* 2^{(t° – 20) / 10}. (4.4)

Следовательно, если температура поднялась с 20° до 70°С, то i_ОБР увеличивается в 2⁵, т.е. в 32 раза. Кроме того, с повышением температуры у германиевых диодов снижается напряжение электрического пробоя.

У кремниевых диодов при нагреве на каждые 10°С обратный ток увеличивается примерно в 2,5 раза.

С повышением температуры несколько возрастает барьерная емкость. Температурный коэффициент емкости (ТКЕ), показывающий относительное изменение емкости при изменении температуры на один градус, равен 10^-4 – 10^-3 К^-1.