Физические процессы в транзисторе в активном режиме

Принцип работы транзисторов обоих типов одинаков, различие в том, что в транзисторе p-n-p типа ток от эмиттера через базу в коллектор переносится дырками, а в n-p-n – электронами.

Рассмотрим процессы, происходящие в биполярном транзисторе на основе p-n-p транзистора. Графическое пояснение процессов, происходящих в биполярном транзисторе, приведено на рисунке 44.

Рисунок 44 – Процессы, происходящие в транзисторе в активном режиме

При отсутствии напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах образуется потенциальный барьер. При подаче прямого напряжения на эмиттерный переход и обратного на коллекторный (активный режим) потенциальный барьер в нем понижается, что вызовет перемещение дырок из эмиттера в базу, где они становятся неосновными носителями заряда. Концентрация дырок в базе вблизи границы эмиттерного перехода становится гораздо больше, чем у коллекторного перехода, возникает ток диффузии дырок к границе коллекторного перехода, где они попадают под действие ускоряющего электрического поля коллекторного перехода и втягиваются из базы в коллектор. В области базы вводимые дырки частично рекомбинируют с электронами и часть дырок ответвляется в области базы, но так как область базы очень мала, то основная часть дырок из области эмиттера перейдет в область коллектора.