Устройство биполярного транзистора

Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Существуют два типа транзисторов: полевой и биполярный. Биполярным называется из-за того, что используются носители зарядов двух типов (дырки и электроны).

Биполярный транзистор представляет собой пластину, в которой созданы три области с различной электропроводностью (см. рисунок 42). Две крайних области имеют одинаковый тип электропроводности, между ними создана область с противоположной электропроводностью. В зависимости от чередования областей различают транзисторы типа n-p-n и p-n-p.

Две крайние области имеют различную концентрацию примеси. Область с наибольшей концентрацией примеси называется эмиттером (Э), служит для инжекции (введения) носителей заряда. Другая крайняя область – коллектор (К), имеет меньшую концентрацию примеси, служит для собирания носителей заряда. Между ними, находится тонкий слой базы (Б) с очень малой концентрацией примеси, толщина этого слоя не больше единиц микрометров. Делается настолько малым для хорошей работы транзистора.

Переход между эмиттером и базой называется эмиттерным переходом (ЭП), между коллектором и базой – коллекторным переходом (КП).

Условно-графическое изображение биполярного транзистора в электрических схемах приведено на рисунке 43.

Стрелка показывает направление тока в проводе эмиттера при прямом напряжении эмиттерного перехода.