Принцип отпирания с помощью управляющего электрода
Эквивалентное представление структуры р-n-p-n в виде двух транзисторов показано на рис. 3.
Представление тиристора в виде двух транзисторов разного типа проводимости приводит к эквивалентной схеме, представленной на рис. 1.4. Она наглядно объясняет явление отпирания тиристора. Зададим ток IGT через управляющий электрод тиристора, смещенного в прямом направлении (напряжение VAK положительное), как показано на рис. 4. Так как ток IGT становится базовым током транзистора n-p-n, то ток коллектора этого транзистора равен B1xIGT, где B1 - коэффициент усиления по току транзистора Т1. Этот ток одновременно является базовым током транзистора р-n-р, что приводит к его отпиранию. Ток коллектора транзистора Т2 составляет величину B1xB2xIGT и суммируется с током IGT, что поддерживает транзистор Т1 в открытом состоянии. Поэтому, если управляющий ток IGT достаточно велик, оба транзистора переходят в режим насыщения. Цепь внутренней обратной связи сохраняет проводимость тиристора даже в случае исчезновения первоначального тока управляющего электрода IGT, при этом ток анода (1А ) остается достаточно высоким.
Типовая схема запуска тиристора приведена на рис. 5
Рис.3. Разбиение тиристора на два транзистора
Рис.4. Представление тиристора в виде двухтранзисторной схемы
Рис.5. Типичная схема запуска тиристора
Дата добавления: 2015-04-10; просмотров: 1052;