Работа транзистора в импульсном режиме

Работа транзистора в качестве усилителя малых импульсных сигналов в принципе ничем не отличается от работы транзистора как усилителя малых синусоидальных сигналов. Импульс можно в виде суммы ряда гармонических составляющих и, зная частотные свойства транзистора, определить искажения формы импульса, которые могут происходить при усилении. Особый режим работы имеет место в том случае, когда рабочая точка перемещается в значительной области в значительной области выходных характеристик от одного края области к другому. Транзистор может при этом работать в трёх основных режимах (рис.1.23,б):

1.Режим насыщения (точка А). В этом режиме транзистор полностью открыт и протекающий ток равен максимальному значению: .

2.Режим отсечки (точка В). В этом режиме транзистор заперт и ток его близок к нулю.

3.Активный режим - режим работы транзистора, при котором транзистор обладает активными свойствами, т.е способен обеспечивать усиление по мощности. В этом режиме рабочая точка лежит между точками А и В.

Скорость перехода транзистора из открытого состояния в закрытое и обратно главным образом зависит от переходных процессов в базе, связанных с накоплением и рассасыванием неравновесных носителей зарядов. На вход транзистора подаётся управляющий сигнал в виде скачков напряжения, замыкающих и размыкающих транзисторный ключ.

Рассмотрим процессы, происходящие в транзисторе, включённом по схеме с ОБ при подаче через эмиттер импульса длительностью t_ИМП, в прямом направлении с последующим изменением полярности (рис.1.24, а). В исходном состоянии транзисторный ключ заперт, т.е. эмиттерный и коллекторный переходы заперты, и транзистор работает в режиме отсечки. После подачи через эмиттер импульса в прямом направлении ток коллектора появляется не сразу из-за конечного времени пролета инжектированных носителей до коллекторного перехода и наличия барьерных емкостей (рис.1.24, а). Время, на которое появление коллекторного тока отстает от эмиттерного, называют временем задержки t_ЗД. Процесс установления тока коллектора характеризуется временем нарастания t_НР. Это время затрачивается на диффузионное перемещение через базу инжектированных в неё носителей. Следует заметить, что t_ЗД относительно мало и во многих случаях при приближенных расчетах им пренебрегают.

При с увеличением эмиттерного тока быстро возрастает и коллекторный ток – это активный режим работы транзистора. Наконец, когда рабочая точка на нагрузочной характеристике достигает точки перегиба статических выходных характеристик, дальнейшее увеличение тока I_Э не вызывает роста коллекторного тока, транзисторный ключ полностью открылся и транзистор работает в режиме насыщения.

Через интервал времени, равный t_ИМП меняется полярность напряжения, подаваемого на эмиттер. При этом транзистор в течение некоторого времени t_РАС (время рассасывания) продолжает находиться в режиме насыщения. Рассасывание заряда происходит вследствие ухода дырок из базы через коллекторный и эмиттерный переходы. До тех пор пока в процессе рассасывания концентрации неосновных носителей около р-n-переходов не достигнут нуля, обратные токи через соответствующие р-n-переходы будут оставаться постоянными, т.е токи эмиттера и коллектора будут неизменными, пока транзистор находится в режиме насыщения. В момент времени t_РАС избыточная концентрация неосновных носителей в базе около коллекторного р-n-перехода достигает нуля. С этого момента ток коллектора и ток эмиттера будут уменьшаться. Время рассасывания t_РАС определяется как интервал времени с момента выключения входного импульса и связанного с этим изменением направления тока базы до момента, когда концентрация дырок у коллекторного перехода уменьшится до нуля. Величина его зависит от конструкции эмиттера, величины его тока и длительности импульса t_ИМП. Для уменьшения t_РАС на входе цепи в момент окончания действия импульса создают ток обратного направления I_Э2, что ускоряет рассасывание дырок в базе. По истечении времени t_РАС, рабочая точка транзистора переходит на границу активной области и начинается спад выходного тока. Длительность спада t_СП определяется как время, в течение которого ток уменьшается от 0,9 до 0,1 тока насыщения.

За время t_НР в базе транзистора накапливаются неосновные носители, а в процессе рассасывания за время t_РАС происходит уменьшение неосновных носителей по ширине базы W в соответствии с диаграммами, представленными на (рис. 1.24, б).

Физические процессы, протекающие в транзисторе при нарастании и спаде напряжения, иллюстрируются диаграммами распределения неосновных носителей Pn, построенными для различных моментов времени 1...9, соответствующих характерным точкам переходного процесса, изображённого на (рис. 1.24, б).