Схема с общим эмиттером. На практике довольно часто используются транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером (рис
На практике довольно часто используются транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером (рис. 1.13). В этой схеме входным является ток базы, а выходным, как и в предыдущем случае, ток коллектора. В соответствии с определением коэффициента передачи тока для схемы с общим эмиттером будем иметь , но , и, следовательно,
(6).
Отсюда видно, что В0 должен быть значительно больше а0. Действительно, при . Поскольку рассматриваемая схема включения транзистора отличается от схемы с общей базой только тем, что вместо базы заземляется эмиттер, то для описания входных и выходных характеристик можно воспользоваться соотношениями, полученными в предыдущем разделе. Исходя из этого, для тока базы с учетом (5) можно записать
(7).
Поскольку при выводе (5) мы полагали, что , то первая составляющая тока в (7) обусловлена электронами, входящими в базу транзистора для компенсации их потерь на рекомбинацию с инжектированными из эмиттера дырками. Вторая составляющая тока связана с электронами, которые выбрасываются в базу обратно смещенным коллектором, частично компенсируя потери на рекомбинацию. Электронный ток через эмиттер при записи выражений (5) и (7) не учитывался. Анализ общего вида входных характеристик, представляющих собой зависимость IБ от UБЭ при фиксированных значениях UКЭ, проведем на основе выражения (7), учитывая, что .
Если UКЭ = 0, то входная характеристика должна изображаться кривой, выходящей из начала .координат (рис. 1.14, кривая 1), так как при , UКБ и IК0 также равны нулю. При UКЭ < 0 и коллектор должен быть смещен в запорном направлении. Тогда при ,IБ = - IК0, то есть начало входной характеристики располагается в области отрицательных значений тока (рис. 1.14, кривая 2). В целом ход зависимости IБ от определяется эмиттерным током , и по своей форме входные характеристики подобны вольтамперной характеристике р-n-перехода, смещенного в пропускном направлении. Подставляя в (5) вместо IЭ сумму , после несложных преобразований получим:
(8),
где .
На основе этого выражения можно провести качественный анализ выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1.15).
Прежде всего из (8) следует, что при разомкнута входе ток через коллекторный переход значительно больше, чем в схеме с общей базой, то есть IК0 >> IК0(базы). Для поддержания базового тока постоянным при любом UКЭ необходимо зафиксировать значение UБЭ. Но тогда может обратиться в нуль только в том случае, если коллекторный переход сместится в пропускном направлении. В этой ситуации и эмиттерный, и коллекторный переходы инжектируют дырки а базу транзистора навстречу друг другу и при ток коллектора при любом фиксированном значении IБ принимает нулевое значение (рис. 1.15). При перемещении вдоль выходной характеристики в сторону увеличения тока падение напряжения на коллекторном переходе UКБ в области малых значений UКЭ положительно, затем переходит через нуль, меняет знак на противоположный и непрерывно увеличивается. По мере увеличения UКБ, за счет расширения ООЗ коллекторного перехода уменьшается ширина базы транзистора и, следовательно, увеличивается a0 . Это приводит к существенному росту В0 [см. (6)] и IК [см. (8)] при увеличении UКЭ (рис. 1.15).
Дата добавления: 2015-06-12; просмотров: 695;