Схема с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером (рис.8.5,б) общим электродом является эмиттер. Входным током является ток базы iБ , входным напряжением – напряжение uБЭ , выходным током – ток коллектора iК , выходным напряжением – напряжение uКЭ . Входные ВАХ определяются при постоянном выходном напряжении:

,

выходные ВАХ при постоянном входном базовом токе:

.

Пример входных и выходных ВАХ для транзистора ОЭ приведен на рис.10.1.

Рисунок 10.1 - Входные (а) и выходные (б) ВАХ транзистора в схеме с ОЭ

 

Они естественно отличаются от входных и выходных ВАХ транзистора ОБ. На входных ВАХ это отличие проявляется в том, что при увеличении выходного напряжения из-за эффекта модуляции базы характеристики сдвигаются вправо. Выходные ВАХ расположены в одном квадранте, в активном режиме идут с бóльшим наклоном, что означает меньшую величину дифференциального выходного сопротивления транзистора ОЭ по сравнению с ОБ.

Учитывая, что

(10.1)

и ,

имеем

, (10.2)

где

Величина называется статическим коэффициентом передачи базового тока. Для малых изменений переменных вводится динамический коэффициент передачи базового тока

. (10.3)

Так как a несколько меньше 1 (0.9…0,995), то величина коэффициента передачи базового тока b значительно больше 1 (9…200).

Область отсечки (ток базы равен нулю) характеризуется током IКО* . Область насыщения ограничивается линией насыщения при небольших значениях выходного напряжения.

Для нормальной работы транзистора должны выполняться условия:

, , ,

где правые части характеризуют максимально допустимые значения соответствующих переменных.

Схема включения ОЭ применяется наиболее часто, так как здесь имеет место усиление как по току, так и по напряжению. Поэтому в справочниках обычно задаются параметры именно для этого типа включения транзистора.

Приведём сравнительные результаты измерения коллекторного и базовых токов от напряжения эмиттер-база (см. рис. 10.2). Заметим, что ход кривой описывается приведённым в лекциях 4¸5 выражениям для тока через pn переход. Если для заданного напряжения эмиттер-база найти отношение коллекторного тока к базовому, то это и будет статическим коэффициентом передачи базового тока bСТ.

Также приведём экспериментальные выходные характеристики pnp транзистора для схем с ОБ и с ОЭ на рис.10.3. В схеме с ОБ (рис.10.3.a) коллекторный ток практически равен эмиттерному току (a @ 1) и фактически не зависит от напряжения UКБ и остаётся неизменным при UКБ = 0.

В схеме с ОЭ коллекторный ток намного превышает ток базы и увеличивается с напряжением UКБ (нет насыщения тока), как видно из рис.10.3б, что иллюстрирует эффект уменьшения ширины базы (эффект Эрли).

Рисунок 10.2 - Зависимость коллекторного и базового тока от напряжения эмиттер-база

 

 

Рисунок 10.3 - Выходные характеристики pnp транзистора a) в схеме с ОБ, б) в схеме с ОЭ

 








Дата добавления: 2015-06-12; просмотров: 974;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.