Порядок выполнения работы. Часть 1 (2 часа) Экспериментальная часть
Часть 1 (2 часа) Экспериментальная часть
3. Ознакомиться с принципиальной схемой и макетом установки для измерения эффекта поля. Измерить зависимость напряжения сток-исток от напряжения на затворе, для этого:
3.1. Включить в цепь транзистор со встроенным каналом. Для этого включить переключатель VT1-VT2 в положение VT1.
3.1.1. Включить внешний источник питания PS2 в соответствие с полярностью, изображенной на принципиальной схеме установки.
3.1.2. Включить источник питания PS1. Для этого переключить S1 в положение «а».
3.1.3. Переключить S2 в положение «1» и задать Ups2 6 В.
3.1.4. Переключить S2 в положение «3» и задать Uзи 1 В.
3.1.5. Переключить S2 в положение «2» и снять значение Uси, изменяя Uзи от 1 до 9 В с шагом 1 В.
3.1.6. Результаты измерений занести в таблицу 1.
3.2. Включить в цепь транзистор с индуцированным каналом. Для этого включить переключатель VT1-VT2 в положение VT2.
3.2.1. Поменять полярность внешнего источника питания PS2 вручную. Для этого необходимо поменять местами клеммы блока питания.
3.2.2. Повторить пункты 3.1.2 – 3.1.5 для Ups2 = 6 В. Чтобы задать Ups2, необходимо S2 переключить в положение «1».
3.2.3. Результаты измерений занести в таблицу 1.
| Результаты измерений | Результаты расчетов | ||||
| Транзистор | Ups2, В | Uзи, В | Uси, В | Iс, мА | Gк, 1/Ом |
| VT1 | |||||
| … | |||||
| VT2 | |||||
| … | |||||
Таблица 1 – Результаты измерений.
3.3. Рассчитать значения тока стока для VT1 и VT2 для всех значений Uзи по формуле:
Iс = (Ups2 – Uзи)/R2, где R2 = 1 кОм
3.4. Рассчитать значения проводимости канала по формулам:
Gк = Iс/Uси
3.5. Результаты расчетов представить средствами математического пакета MathCAD в векторном виде.
3.6. Построить графики зависимости тока стока от напряжения на затворе Iс(Uзи) и графики зависимости проводимости канала от напряжения на затворе Gк(Uзи) для VT1 и VT2.
Часть 2 (2 часа) Компьютерное моделирование зависимости поверхностной проводимости от величины поверхностного потенциала Ys
Исследовать математическую модель зависимости поверхностной проводимости Gs от безразмерного поверхностного потенциала Ys для полупроводника n-типа при разной степени легирования λ средствами прикладного пакета программ MathCAD.
3.7. Построить график зависимости поверхностной проводимости от величины поверхностного потенциала Gs(Ys) по формуле (5), с учетом формул (1), (2), (3), (4).
3.8. Построить энергетические диаграммы с изгибом зон полупроводника для режимов обогащения, обеднения и инверсии типа проводимости.
При построении энергетических диаграмм для простоты предполагать, что зависимость Y(x) экспоненциальная:
, где 
Содержание отчета
1. Данные измерений и расчетов. Графики зависимости тока стока от напряжения на затворе и графики зависимости проводимости канала от напряжения на затворе для транзисторов со встроенным и индуцированным каналами.
2. Графики зависимости поверхностной проводимости от величины поверхностного потенциала и энергетические диаграммы с изгибом зон полупроводника для режимов обогащения, обеднения и инверсии типа проводимости.
3. Анализ полученных результатов.
4. Вывод.
Дата добавления: 2015-04-05; просмотров: 571;