Основные параметры биполярных транзисторов на НЧ

1. Коэффициенты передачи эмиттерного и базового тока (дифференциальные коэффициенты передачи, которые в первом приближении считают равными интегральным)

для схемы с ОЭ – десятки –сотни единиц , с ОБ – 0,9…0,995.

2. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода

(r_{э диф} – несколько ом – десятки ом);

3. Обратный ток коллекторного перехода при заданном напряжении U_КБ0.

( – несколько наноампер – десятки миллиампер).

4. Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению

( ) ;

5. Выходная проводимость h*₂₂ или дифференциальное со­противление коллекторного перехода

(h*_22Э – доли – сотни мкикросименс).

6. Объемное сопротивление базы r´_Б (десятки – сотни ом).

7. Максимально допустимый ток коллектора I_{К МАКС} (сотни миллиампер

– десятки ампер).

8.Напряжение насыщения коллектор – эмиттер U_{КЭ НАС} (десятые доли – единицы вольт).

9. Наибольшая мощность рассеяния коллектором P _{К МАКС} (мВт – десятки ваттт).

Обозначения биполярных транзисторов состоят из шести или семи элементов. Первый элемент − буква, указывающая исходный материал: Г – германий, К – кремний, А – арсенид гал­лия. Для транзисторов специального назначения первый элемент – цифра: 1 – германий, 2 – кремний, 3 – арсенид галлия. Второй элемент – буква Т. Третий элемент − число, присваиваемое в зависимости от назначения транзистора. Четвертый, пятый и шестой элементы цифра, означающая порядковый номер разработки. Седьмой элемент − буква, указывающая разновидность типа из данной группы приборов, например: ГТ108А, 2Т803А, КТ602А, КТ315Б, КТ3102Г и т.д.