Основные параметры биполярных транзисторов на НЧ
1. Коэффициенты передачи эмиттерного и базового тока (дифференциальные коэффициенты передачи, которые в первом приближении считают равными интегральным)
для схемы с ОЭ – десятки –сотни единиц , с ОБ – 0,9…0,995.
2. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
(rэ диф – несколько ом – десятки ом);
3. Обратный ток коллекторного перехода при заданном напряжении UКБ0.
( – несколько наноампер – десятки миллиампер).
4. Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению
( ) ;
5. Выходная проводимость h*22 или дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
(h*22Э – доли – сотни мкикросименс).
6. Объемное сопротивление базы r´Б (десятки – сотни ом).
7. Максимально допустимый ток коллектора IК МАКС (сотни миллиампер
– десятки ампер).
8.Напряжение насыщения коллектор – эмиттер UКЭ НАС (десятые доли – единицы вольт).
9. Наибольшая мощность рассеяния коллектором P К МАКС (мВт – десятки ваттт).
Обозначения биполярных транзисторов состоят из шести или семи элементов. Первый элемент − буква, указывающая исходный материал: Г – германий, К – кремний, А – арсенид галлия. Для транзисторов специального назначения первый элемент – цифра: 1 – германий, 2 – кремний, 3 – арсенид галлия. Второй элемент – буква Т. Третий элемент − число, присваиваемое в зависимости от назначения транзистора. Четвертый, пятый и шестой элементы цифра, означающая порядковый номер разработки. Седьмой элемент − буква, указывающая разновидность типа из данной группы приборов, например: ГТ108А, 2Т803А, КТ602А, КТ315Б, КТ3102Г и т.д.
Дата добавления: 2015-05-13; просмотров: 751;