Биполярный транзистор с диодом Шотки
Биполярный транзистор, особенно в логических интегральных микросхемах, часто выполняет функцию переключающего элемента. При этом он работает не только в активном режиме, но и в режимах насыщения и отсечки. В режиме насыщения происходит накопление неосновных носителей заряда в базе транзистора, а также в коллекторной области. Процессы накопления неосновных носителей и их последующего рассасывания при переводе транзистора в режим отсечки или в выключенное состояние связаны с относительно медленным процессом диффузии неосновных носителей заряда. Инерционность этих процессов определяет скорость перевода транзистора из включенного в выключенное состояние и обратно, т. е. скорость срабатывания схемы.
Для ускорения процесса рассасывания неосновных носителей заряда целесообразно ограничить их накопление. Достичь этого можно путем шунтирования коллекторного перехода транзистора диодом Шотки, т. е. диодом с выпрямляющим электрическим переходом в виде контакта металла с полупроводником. Структура этого транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 3.35, а, б.
а б
Рис. 3.35
Контакт алюминиевого электрода с р-областью базы оказывается невыпрямляющим, а контакт алюминиевого электрода с относительно высокоомной n-областью коллектора получается выпрямляющим. Из-за неравенства работ выхода электронов из алюминия и из кремния с электропроводностью n-типа и в результате химической обработки поверхности кремния на контакте возникает потенциальный барьер для электронов высотой около 0,6 эВ, что несколько меньше высоты потенциального барьера p-n-перехода коллектора.
Поэтому при прямом смещении коллекторного перехода и соответственно при прямом смещении выпрямляющего контакта алюминий – кремний с электропроводностью n-типа (диод Шотки) основная часть прямого тока коллектора будет проходить через диод Шотки. Этот ток связан с движением электронов из n-области коллектора в металл и не сопровождается инжекцией дырок в область коллектора. Поэтому в высокоомной области коллектора не происходит накопления неосновных носителей заряда.
Высота потенциального барьера на контакте металл-полупроводник (на диоде Шотки) по сравнению с высотой потенциального барьера
на p-n-переходе коллектора при тех же прямых токах коллектора будет меньше и меньше будет на коллекторном переходе прямое напряжение, что соответствует меньшему количеству накопленных неосновных носителей заряда в базе транзистора при режиме насыщения.
В результате время рассасывания в транзисторе с диодом Шотки оказывается значительно меньше (несколько наносекунд), чем время рассасывания в транзисторе аналогичной структуры, но без шунтирующего диода Шотки. Отметим, что на контакте алюминиевых электродов с сильнолегированной n+-областью эмиттера и с сильнолегированной частью n+-области коллектора также возникают потенциальные барьеры, но их толщина оказывается настолько малой, что сквозь такие узкие потенциальные барьеры электроны могут проходить практически беспрепятственно путем туннелирования.
Таким образом, контакты алюминиевых электродов с эмиттерной областью и с сильнолегированной частью коллекторной области получаются невыпрямляющими, а их формирование и формирование выпрямляющего контакта диода Шотки осуществляется во время одного процесса металлизации. Изготовление интегрального транзистора с диодом Шотки не требует введения дополнительных технологических операций. Необходимо лишь изменить соответствующим образом фотошаблон, применяемый при проведении фотолитографии для снятия двуокиси кремния под контакты, и расширить слой напыляемого алюминия за металлургическую границу коллекторного перехода. Однако при снятии двуокиси кремния в месте выхода коллекторного перехода на поверхность монокристалла кремния и при обработке этой поверхности перед нанесением алюминиевой металлизации следует предотвратить возможность загрязнения p-n-перехода коллектора неконтролируемыми примесями.
Дата добавления: 2015-05-13; просмотров: 2697;