Активный режим работы

Эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный – в обратном направлении.

= + ; (3.1)

= , (3.2)

где − ток, возникающий за счёт рекомбинации электронов в базовой области;

− обратный ток через коллекторный переход, тепловой ток;

− этот ток возникает за счёт появления носителей в обратно смещённом p-n-переходе.

Для схемы с общей базой:

= − коэффициент передачи. (3.3)

Выходным током является ток через коллектор, а входным – через эмиттер.

< 1 – для увеличения коэффициента передачи нужно уменьшать ток базы.

Для схемы с общим коллектором:

= . (3.4)

Для уменьшения тока базы необходимо принять следующие меры:

для уменьшения составляющей увеличить концентрацию примесей;

для уменьшения тока рекомбинации в базе толщину базы необходимо делать как можно меньше, так, чтобы за время жизни носителей заряда последние успевали пройти область базы;

физический вывод базы стараются делать как можно дальше от эмиттерного перехода, чтобы электроны, попавшие в базу, не успевали достигать базового вывода.

При изготовлении транзисторов поверхность полупроводника обрабатывают таким образом, чтобы уменьшить вероятность рекомбинации на его границах. За счёт этого уменьшается обратный ток через коллекторный переход.

>> , т. к. любые носители заряда должны быть перехвачены коллектором.

При выполнении коллекторного перехода его стараются делать менее легированным, чтобы было больше напряжение пробоя.