Граничні режими транзистора

При кімнатній температурі іонізовані всі атоми домішок і невелика частина атомів основної речовини НП (чистого НП). Завдяки цьому, в емітерній, колекторній і базовій областях БТ забезпечуються потрібні концентрації основних і неосновних носіїв. З підвищенням температури навколишнього середовища або при нагріванні транзистора струмами зростає число генерованих пар електрон-дірка. Внаслідок зростання концентрації носіїв електропровідність областей приладу збільшується, і його нормальна робота порушується. Практика доводить, що максимальна робоча температура германієвих БТ лежить у межах від +70 до +100 С. У кремнієвих транзисторів унаслідок більшої ширини ЗЗ енергія, необхідна для іонізації атомів основної речовини, виявляється більшою, ніж у германієвих, і тому максимальна робоча температура кремнієвих приладів може становити від +125 до +200 С.

Мінімальна робоча температура БТ визначається енергією іонізації домішкових атомів та їх концентрацією. Як правило, ця енергія невелика (0,05 - 0,1 еВ), і з цієї точки зору БТ може працювати при мінімальній температурі -200 С. Але фактична нижня границя температури обмежується термостійкістю корпуса і допустимими змінами параметрів, тому її величина становить, як правило, від -60 до -70 С.